型号：UF830-ML
　　制造商：Unisonic Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.0Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值3.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值35nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：典型值650pF @ VDS=25V
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

UF830-ML具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其800V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全操作，适用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的开关电源设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)典型值为2.0Ω）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效，尤其在轻载和中等负载条件下表现突出。同时，较低的栅极电荷（Qg典型值35nC）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片的成本，同时也减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频开关应用中的效率。
　　其次，UF830-ML采用TO-252封装，具有良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔或外加散热片有效导出热量，确保长时间工作的热稳定性。该封装支持表面贴装工艺，有利于提高生产自动化程度和焊接可靠性。此外，器件具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态过压或电感反冲等异常工况下维持结构完整性，增强系统鲁棒性。其阈值电压典型值为3.0V，兼容标准逻辑电平和常见的PWM控制器输出，便于集成到各种控制电路中。温度方面，支持-55°C至+150°C的工作结温范围，适应严苛的工业与户外环境。综合来看，UF830-ML在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选器件之一。

UF830-ML主要应用于各类需要高效、高耐压开关功能的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：离线式反激变换器（Flyback Converter），广泛用于手机充电器、笔记本电脑适配器和小型家电电源模块；LED恒流驱动电源，特别是在高亮度LED照明系统中作为主控开关元件；电视、显示器等消费电子产品中的内置开关电源（SMPS）；工业控制设备中的DC-DC转换模块和继电器驱动电路；以及UPS不间断电源、电子镇流器和小型逆变器等。由于其具备800V耐压能力，特别适合用于单端反激拓扑结构中，在宽输入电压范围内稳定工作。此外，UF830-ML也可用于电机驱动中的低端开关应用，或作为电子负载和热插拔电路中的通断控制元件。在设计紧凑型电源产品时，其表面贴装封装有助于减小整体体积并提升功率密度。得益于良好的热性能和电气稳定性，该器件还能在高温或长时间连续运行的环境中保持可靠性能，因此也适用于部分工业级和户外照明应用。总体而言，UF830-ML凭借其高性价比和广泛适用性，成为众多中低压功率转换设计中的主流选择。

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　　 "FQPF8N80",
　　 "STP8NK80ZFP",
　　 "KSE830",
　　 "2SK3569",
　　 "APW830"
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