时间：2025/8/15 3:16:44
阅读：18
UF802F是一款由国产厂商推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动、逆变器及各种高效率功率转换系统中。该型号具备良好的热稳定性和导通/关断特性，适用于中高功率的开关应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：12A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.55Ω
最大功耗（Ptot）：75W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
UF802F采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通性能和快速的开关响应时间，适用于高频开关应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件还具备良好的过温保护能力和抗冲击电流能力，确保在复杂工况下的稳定运行。
此外，UF802F的TO-220封装设计有利于散热，便于在各类电路板上安装和使用。该型号在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统噪声，提升整体可靠性。
UF802F的高耐压特性使其适用于各种高压应用场合，例如LED驱动电源、适配器、电池充电器、电源转换器以及工业控制设备中的功率开关。
UF802F常见于各类开关电源、LED驱动电源、电池管理系统、逆变器、UPS不间断电源、家电控制板、工业自动化设备等功率电子系统中。其高可靠性和良好的性能使其成为替代传统高压双极晶体管的理想选择。
FQP12N80C, STF12N80M, K2837, 2SK2837, IRF840
