型号：UF7476G-S08-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：30A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：32W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值5.8mΩ @ VGS=10V，最大值7.2mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：约2400pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：约600pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（SOIC-8）
　　安装方式：表面贴装

UF7476G-S08-R具备优异的导通特性和开关性能，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为7.2mΩ，即使在大电流负载下也能保持较低的温升，从而延长器件寿命并减少散热设计负担。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，使得在小尺寸封装内实现高电流输出成为可能。其栅极结构经过特殊设计，有效降低了米勒电容（Crss），抑制了开关过程中的寄生振荡，提高了高速开关应用中的稳定性。
　　该器件具有出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。SOP-8封装不仅节省PCB空间，还通过暴露焊盘（exposed pad）设计增强了散热能力，允许通过PCB上的热过孔将热量快速传导至底层，实现高效热管理。此外，UF7476G-S08-R内置的栅极串联电阻减少了外部干扰引起的栅极振铃，降低了电磁干扰（EMI）风险，提升了系统抗噪能力。
　　在安全保护方面，UF7476G-S08-R具备较强的雪崩耐量，能够承受一定的过压冲击，适用于存在感性负载或突发电压波动的应用场景。其栅氧层经过严格质量控制，确保在±20V栅源电压范围内长期可靠工作，避免因驱动信号异常导致器件损坏。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类现代电子产品的制造要求。同时，其批量生产一致性高，适合自动化贴片工艺，有助于提升整机生产良率和成本控制。

UF7476G-S08-R广泛应用于多种中低电压、大电流的功率开关场合。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），其中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)特性显著降低传导损耗，提高转换效率，特别适用于CPU供电、GPU核心电源及主板VRM模块。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件用于电池充放电管理电路，实现高效的能量传输与控制。
　　在电机驱动领域，UF7476G-S08-R可用于H桥或半桥驱动电路中，驱动直流电机、步进电机或风扇电机，凭借其快速开关响应和低导通压降，有效减少发热并提升动态响应性能。此外，该MOSFET也常见于LED恒流驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端以及各类AC-DC辅助电源（如待机电源、PFC电路）中，作为主开关或同步整流元件使用。
　　工业控制设备中的开关电源模块、PLC电源单元、智能电表电源部分也大量采用此类高性能MOSFET。由于其具备良好的EMI性能和温度稳定性，UF7476G-S08-R同样适用于对可靠性要求较高的医疗设备、通信基站电源模块及智能家居控制系统中。其表面贴装封装形式支持回流焊工艺，适应现代电子产品自动化生产流程，是中小功率电源设计中的主流选择之一。

AP7476G
　　SI7476DP-T1-E3
　　AON7476
　　FDS7476