型号：UF730KL-TM3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：23A
　　导通电阻(RDS(on))：16mΩ @ VGS=10V, 17mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(PD)：1.5W @ 25°C

UF730KL-TM3-R具备优异的动态与静态电气特性，使其在低压大电流开关应用中表现出色。其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等对效率要求较高的场合。该器件的输入电容Ciss仅为520pF，在高频开关环境下可减少驱动电路的能量消耗，提升系统响应速度。由于采用了先进的沟槽式工艺结构，UF730KL-TM3-R实现了更高的载流子迁移率，从而在相同芯片面积下提供更大的电流承载能力。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了其在低电压控制信号下的可靠开启，支持直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂度和成本。同时，器件具备良好的热稳定性，结温可达+150°C，配合SOT-23封装良好的散热设计，可在紧凑空间内长时间稳定运行。
　　在可靠性方面，UF730KL-TM3-R经过严格的生产测试流程，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）及高温存储寿命测试，确保长期使用的稳定性。其封装采用无铅焊接工艺，符合JEDEC标准的回流焊温度曲线要求，适合自动化贴片生产线。此外，该器件还具有较强的抗静电能力（ESD），人体模型（HBM）等级达到2kV以上，提升了在装配和使用过程中的安全性。对于轻载和待机模式下的节能需求，该MOSFET的栅极漏电流极低（通常小于100nA），有助于延长电池供电设备的工作时间。

UF730KL-TM3-R广泛应用于多种低压功率开关场景。典型用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理电路，用于实现负载切换或反向电流阻断功能。在DC-DC降压或升压转换器中，它常被用作同步整流MOSFET，以替代传统肖特基二极管，大幅提高转换效率并降低发热。该器件也适用于LED驱动电路中的恒流控制开关，尤其是在需要精确调光控制的小型照明模块中表现优异。
　　此外，UF730KL-TM3-R可用于各类适配器、充电器和USB供电模块中，作为次级侧整流元件或过流保护开关。在电机驱动应用中，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该MOSFET能够胜任低电压、中小功率的开关任务。工业控制领域的传感器供电模块、PLC数字输出卡以及隔离电源的反馈控制电路也是其常见应用场景。得益于SOT-23小尺寸封装，该器件非常适合高密度PCB布局，尤其适用于追求小型化和轻薄化设计的消费类电子产品。同时，其良好的温度适应性和抗干扰能力使其在环境条件多变的嵌入式系统中也能保持稳定运行。

SI2302-ADJ,RASEMI RN2004A,ON Semiconductor 2N7002K,Diodes Incorporated DMG2302L