型号：UF730KG-TM3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8 (TDFN)
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：110A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：440A
　　导通电阻(RDS(on))：1.3mΩ @ VGS=10V, ID=55A
　　导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ @ VGS=4.5V, ID=55A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：5600pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：1500pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：350pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：95nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　安装方式：表面贴装

UF730KG-TM3-R采用先进的沟槽栅硅技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下，典型值仅为1.3mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了系统的整体能效。该器件的低RDS(on)特性使其特别适用于高电流密度的设计，例如服务器电源、笔记本电脑适配器和电动工具驱动电路中，能够有效减少发热并缩小散热器尺寸，从而节省PCB空间和物料成本。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，其输入电容Ciss为5600pF，反向传输电容Crss为350pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的开关速度，有助于提升DC-DC变换器的工作频率，减小磁性元件体积。同时，95nC的总栅极电荷Qg使得驱动电路设计更为简便，兼容常见的PWM控制器输出级，无需额外增加复杂驱动芯片即可实现高效控制。
　　在热管理方面，UF730KG-TM3-R采用SOP-8 TDFN封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或底层，实现高效的热耗散。其125W的最大功耗能力（在TC=25°C下）表明其具备良好的热稳定性，即使在高环境温度下也能保持可靠运行。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业与车载环境。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，栅氧层设计可承受±20V的栅源电压，增强了在实际使用中的鲁棒性。其阈值电压范围为1.0V~2.5V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠开启，适用于3.3V或5V控制系统。总体而言，UF730KG-TM3-R是一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的现代功率MOSFET，适用于追求小型化、高效率和高稳定性的先进电源系统设计。

UF730KG-TM3-R广泛应用于多种高效率、大电流的电力电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下桥臂开关使用，因其低导通电阻和高电流承载能力，可显著降低功率损耗，提高电源转换效率，满足CPU、GPU等高性能处理器的供电需求。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电管理系统中，该器件可用于电池充放电回路的主开关，实现快速充电与低待机功耗。同时，由于其表面贴装封装形式，非常适合高密度PCB布局，有利于终端产品的小型化设计。
　　在电机驱动领域，UF730KG-TM3-R可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件，提供快速响应和精确控制。其高脉冲电流能力（IDM=440A）使其能够应对电机启动或堵转时的瞬态大电流冲击，保障系统安全运行。
　　此外，该器件也适用于各类AC-DC和DC-DC开关电源拓扑，如反激式、正激式、LLC谐振变换器等，尤其在次级侧同步整流应用中表现优异，可替代传统肖特基二极管，大幅提升整机效率并降低温升。
　　在工业控制与自动化设备中，如PLC模块、伺服驱动器、UPS不间断电源等，UF730KG-TM3-R凭借其高可靠性和宽工作温度范围，能够在恶劣电磁环境和高温环境中长期稳定运行。在汽车电子领域，可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源系统，支持新能源汽车的电气架构升级。

AP730SGN-HF
　　SiR730DP
　　CSD17304Q5