时间：2025/12/27 8:23:36
阅读：8
UF634Z-Q是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用先进的第四代氮化镓技术，具备低导通电阻、低栅极电荷和优异的开关性能，适用于在高频率下运行的功率转换系统，如服务器电源、电信整流器、工业电源、可再生能源逆变器以及电动汽车充电设备等。UF634Z-Q属于650V耐压等级的增强型（E-mode）氮化镓场效应晶体管，具有常关特性，提升了系统的安全性和易用性。其封装形式为行业标准的DFN8x8（也称为U-MOS?）封装，具备优良的热性能和低寄生电感，便于在高密度PCB布局中使用。该器件无需负压关断，简化了栅极驱动电路设计，兼容常见的CMOS逻辑电平驱动信号，进一步降低了系统复杂度和成本。此外，UF634Z-Q通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其具备在严苛工作环境下长期稳定运行的能力，适用于对可靠性和能效要求较高的工业及汽车电子应用。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）@25°C：30 A
脉冲漏极电流（IDM）：120 A
导通电阻（RDS(on)）：65 mΩ
栅极阈值电压（Vth）：3.0 V（典型值）
输入电容（Ciss）：4300 pF
输出电容（Coss）：580 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
最大工作结温（Tj）：175 °C
封装类型：DFN8x8（U-MOS）
UF634Z-Q的核心优势在于其基于第四代氮化镓技术平台的卓越电气性能与可靠性。首先，其65 mΩ的低导通电阻显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景中表现出更高的能效水平。同时，由于采用了增强型设计，器件在栅极电压为零时处于关断状态，避免了传统耗尽型氮化镓器件需要负压关断的复杂驱动方案，使得系统设计更加简单、安全且易于集成。此外，该器件具有极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），大幅减少了开关过程中的能量损耗，支持高达数百kHz甚至MHz级别的高频开关操作，有助于缩小磁性元件和电容的体积，提升整体电源系统的功率密度。
其次，UF634Z-Q具备出色的动态性能，其近乎为零的反向恢复电荷（Qrr）消除了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题，特别适用于硬开关和图腾柱PFC等对开关应力敏感的拓扑结构。这种特性不仅提高了系统效率，还增强了可靠性，减少了对额外缓冲电路的需求。器件的DFN8x8封装采用铜夹连接工艺，降低了内部引线电感，提升了抗噪声能力和热传导效率，确保在高功率密度条件下仍能保持稳定的热性能。此外，该器件支持并联使用，得益于其正温度系数的导通电阻特性，能够实现良好的电流均流效果，适用于更高功率的应用场景。
最后，UF634Z-Q通过AEC-Q101认证，表明其在高温、高湿、热循环和机械振动等严酷条件下的长期可靠性得到了验证，适合部署于汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等对安全性要求极高的场合。其宽泛的工作温度范围（-40°C 至 +175°C）使其能够在极端环境温度下稳定运行。综合来看，UF634Z-Q凭借其高效、高频、高可靠性的特点，成为现代高功率密度电源系统中替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择。
UF634Z-Q广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统中。典型应用包括服务器和数据中心的高密度AC-DC电源单元，其中其高频能力可显著减小变压器和滤波元件的体积，提高整体能效。在通信电源领域，该器件用于48V至12V中间母线转换器（IBC）和高效率整流模块，满足5G基站和电信基础设施对小型化和低能耗的需求。此外，在工业电源如焊接设备、激光电源和UPS不间断电源中，UF634Z-Q的高耐压和快速开关特性有助于提升系统响应速度和稳定性。
在新能源领域，该器件被用于光伏逆变器中的DC-AC转换级，利用其低损耗特性提高太阳能发电系统的整体转换效率。在电动汽车相关应用中，UF634Z-Q可用于车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器，支持双向能量流动和高功率密度设计。此外，其在图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）拓扑中的出色表现，使其成为下一代高效率功率因数校正电路的关键器件。其他应用还包括高端消费类电源适配器、医疗电源系统以及测试与测量设备中的高精度电源模块。
UFS1N650BD1
