UF50N06-Q 时间：2025/12/27 8:51:56 阅读：12

UF50N06-Q是一款由优捷信达（U-JESD）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件封装在TO-220或类似的通孔封装中，具备优良的热性能和电气特性，适用于多种工业、消费类及电源管理系统。UF50N06-Q的命名中，“50”代表其最大连续漏极电流约为50A，“06”表示其漏源击穿电压为60V，因此它适合在中等电压、大电流环境下稳定运行。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关响应和良好的抗雪崩能力，使其在DC-DC转换器、电机驱动、电源适配器和电池管理系统中表现出色。此外，UF50N06-Q符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。作为一款高性能功率器件，它在性价比和可靠性方面具有明显优势，广泛应用于各类中高功率电子设备中，尤其在需要频繁开关操作和高效能转换的场合表现优异。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：50A
　　脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）@max：30mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）@typ：23mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3800pF @ VDS=30V
　　输出电容（Coss）：约950pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间（trr）：典型值约45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

UF50N06-Q采用先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。其核心特性之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为30mΩ，这意味着在大电流工作条件下产生的焦耳热更少，有助于提升系统效率并降低散热设计复杂度。此外，该器件具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达50A，短时脉冲电流甚至可承受高达200A，适用于电机启动、电源浪涌等瞬态高负载场景。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性与可靠性，在175℃的最大结温下仍能稳定工作，适用于高温工业环境。其栅极电荷（Qg）较低，配合约3800pF的输入电容，使得驱动电路所需功耗较小，有利于实现高频开关操作，提高电源系统的动态响应速度。同时，UF50N06-Q具备较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载关断时吸收一定的能量，保护器件不被击穿，提升系统鲁棒性。
　　器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器、PWM控制器等直接接口，无需额外电平转换电路。其TO-220封装不仅机械强度高，且具备良好的散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。此外，该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保长期使用的稳定性。综合来看，UF50N06-Q是一款兼具高性能、高可靠性和高性价比的功率MOSFET，适用于对效率和耐用性要求较高的应用场景。

应用

UF50N06-Q广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源模块和服务器电源单元，利用其低导通电阻和高效率特性降低能量损耗。在DC-DC转换器中，尤其是在同步整流拓扑中，该器件可作为主开关或整流管使用，显著提升转换效率。此外，它也适用于电机驱动电路，例如直流电机控制、电动工具和小型电动车的驱动模块，能够承受频繁启停和反向电动势冲击。
　　在电池管理系统（BMS）中，UF50N06-Q可用于充放电控制开关，实现对电池组的安全通断管理。由于其具备良好的过流和过温耐受能力，适合用于过流保护电路或电子保险丝（eFuse）设计。在照明电源领域，特别是LED恒流驱动电源中，该器件可用作主功率开关，支持宽输入电压范围下的稳定工作。工业控制设备中的继电器替代、固态开关、逆变器和UPS不间断电源系统也是其典型应用方向。得益于其紧凑的TO-220封装和高功率密度，UF50N06-Q特别适合空间受限但对散热和性能有较高要求的设计。