型号：UF4N20ZL-TA3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200 V
　　最大漏源导通电阻（RDS(on)）：190 mΩ（典型值，@ VGS = 18 V）
　　最大栅源电压（VGSM）：+6 V / -4 V
　　连续漏极电流（ID）：4 A（TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16 A
　　输入电容（Ciss）：170 pF（@ VDS = 100 V, f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：45 pF（@ VDS = 100 V, f = 1 MHz）
　　反向传输电容（Crss）：4.5 pF（@ VDS = 100 V, f = 1 MHz）
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：12 ns
　　上升时间（tr）：4 ns
　　下降时间（tf）：3 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：TO-252-3（D-Pak）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UF4N20ZL-TA3-R的核心优势在于其基于氮化镓材料的半导体结构，使其在高频电力电子应用中表现远超传统硅MOSFET。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为190mΩ，配合200V的耐压能力，能够在小封装内实现高效能功率切换，显著降低导通损耗。更重要的是，该器件为增强型（常关型）设计，即在栅极为零偏置时处于关断状态，极大提升了系统安全性与设计便利性，无需复杂的负压关断电路即可直接与标准栅极驱动器兼容。这种增强型结构通过集成p-GaN栅技术实现，确保了稳定的阈值电压控制和长期可靠性。
　　其次，该器件具备近乎理想的开关特性。由于氮化镓HEMT本质上不存在PN结体二极管，因此其反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，彻底消除了传统MOSFET在续流过程中产生的反向恢复电流尖峰和相关能量损耗。这一特性在半桥、全桥及LLC谐振转换器中尤为重要，可显著降低开关节点的电压过冲、减少电磁干扰（EMI）并提高系统效率。同时，其极低的寄生电容（Ciss、Coss、Crss）使得器件能够以数MHz级别的频率高效运行，支持更高功率密度的设计，缩小磁性元件和滤波器体积。
　　在可靠性方面，UF4N20ZL-TA3-R经过严格测试，具备出色的热稳定性和抗浪涌能力。其工作结温可达+150°C，支持高温环境下的持续运行。TO-252-3封装不仅提供了良好的散热路径，还具备较低的寄生电感，有助于抑制高频开关过程中的振荡问题。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的耐受能力，适合在高噪声工业环境中使用。制造商还提供了详细的栅极驱动建议和PCB布局指南，以优化动态性能和长期稳定性。

UF4N20ZL-TA3-R广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的现代电力电子系统。在通信电源领域，它被用于48V至12V中间总线转换器（IBC）和高密度DC-DC模块，显著提升转换效率并减小系统体积。在数据中心和服务器电源中，该器件可用于图腾柱PFC（无桥功率因数校正）电路，利用其零Qrr特性实现超高效率（>99%），满足80 PLUS钛金认证要求。此外，在太阳能微型逆变器中，UF4N20ZL-TA3-R可用于高频DC-AC逆变环节，提高能量转化效率并延长设备寿命。
　　在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，支持双向能量流动和高效率变换。工业电机驱动、激光电源和医疗电源也是其重要应用方向，尤其是在需要快速响应和精密控制的场合。由于其小型化封装和高效散热特性，UF4N20ZL-TA3-R特别适合空间受限但性能要求严苛的应用场景。此外，该器件还可用于无线充电系统、LED驱动电源以及高端音频放大器中的开关电源部分。凭借其卓越的动态性能和可靠性，UF4N20ZL-TA3-R已成为替代传统硅功率器件的理想选择，推动电力电子系统向更高频、更高效、更紧凑的方向发展。

UFP3N20ZL-TA3-R
　　GS-065B205T-DIV1
　　EPC2045
　　SPL4N20Z