型号：UF4N20ZG-TA3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：200V
　　连续漏极电流(ID)：4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：280mΩ @ VGS=10V, ID=2A
　　导通电阻(RDS(on))：350mΩ @ VGS=10V, ID=2A（典型值）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：12nC @ VDS=100V, ID=4A
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23-6 或类似小型表面贴装封装
　　安装方式：表面贴装
　　符合标准：RoHS合规，无卤素

UF4N20ZG-TA3-R采用了优化的平面场效应晶体管结构，能够在200V的高电压环境下实现高效的电流传导与控制。其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时可达到最低280mΩ，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。该器件的阈值电压范围设定在2.0V至4.0V之间，确保了良好的开启可控性，同时避免因过低阈值导致的误触发问题。得益于较小的栅极电荷Qg（仅12nC），该MOSFET在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减轻了驱动电路的设计负担，并减少了开关过程中的动态损耗。
　　该器件具备出色的热稳定性，最大工作结温可达150°C，配合良好的散热设计可在恶劣工作环境中长期稳定运行。其输入电容Ciss为350pF，输出电容Coss为110pF，在高频应用中展现出较低的容性负载，有利于提升开关速度和系统响应能力。此外，反向恢复时间trr仅为30ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，这对于防止在同步整流或感性负载切换过程中产生过大的反向电流尖峰至关重要，有助于减少电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。
　　UF4N20ZG-TA3-R还具备良好的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态过压事件中维持器件完整性。其封装采用小型化设计，不仅节省印刷电路板空间，而且支持自动化贴片生产，提升了制造效率。该MOSFET经过严格的老化测试和可靠性验证，确保在长时间使用中保持电气参数的稳定性。总体而言，这款器件结合了高压耐受、低损耗、快速响应和高可靠性的特点，是中小功率电源管理系统中的理想选择。

UF4N20ZG-TA3-R主要应用于各类需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子设备中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，特别是在低功率AC-DC适配器和充电器中发挥关键作用；在DC-DC降压或升压转换器中作为控制开关元件，适用于便携式设备、物联网终端和嵌入式系统供电模块；此外，它也广泛用于LED照明驱动电路中，作为恒流控制或PWM调光的开关单元，提供稳定的亮度调节和高光效输出。
　　在消费类电子产品如智能家居设备、无线路由器、机顶盒和小型家电控制器中，该MOSFET可用于电源管理单元以实现待机低功耗和主电源切换功能。工业控制领域中，其也被用于继电器驱动、电机控制的小信号开关以及传感器供电模块中，凭借其高可靠性和温度适应性满足严苛环境下的运行需求。通信设备中的隔离电源模块同样采用此类器件进行电压隔离与能量传输控制。由于其符合RoHS和无铅焊接标准，UF4N20ZG-TA3-R特别适合出口型电子产品及绿色环保认证项目。总之，凡涉及200V以内电压等级、中等电流水平且追求高效率与小型化的应用场景，UF4N20ZG-TA3-R均是一个极具竞争力的功率开关选项。

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　　 "FQD4N20C",
　　 "STP4NK60ZFP",
　　 "2SK3569",
　　 "AP4N20GM-HF",
　　 "SIHF4N20-T1-E3"
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