类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.5Ω（Vgs=10V）；最大值3.2Ω（Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：约600pF
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（MOSFET无体二极管快速恢复特性特别标注时才提供）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（D-Pak）

UF4N20Z采用高性能平面栅极技术，具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在高电压和大电流条件下持续运行而不发生性能退化。其低导通电阻Rds(on)有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率，并减少了对散热器尺寸的要求，有助于实现紧凑型设计。该器件的栅极电荷Qg较低，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，可显著降低驱动电路的负担，提升开关速度并减少开关过程中的动态损耗。这对于高频工作的开关电源尤为重要，有助于实现更高的工作频率和更小的外围元件体积。此外，UF4N20Z具有较强的雪崩耐量能力，能在电压瞬变或感性负载切换过程中承受一定的过压冲击，增强了系统的安全性和抗干扰能力，避免因意外电压尖峰导致器件损坏。
　　该MOSFET的体二极管也经过优化设计，具备较快的反向恢复特性，虽然不如专门的快恢复二极管或肖特基二极管那样迅速，但在同步整流或桥式电路中仍能表现出较好的性能，减少反向恢复带来的损耗和电磁干扰问题。其TO-252封装具有良好的热传导性能，通过合理的PCB铜箔设计可以实现有效的热量散发，确保器件在长时间满负荷运行下的温度处于安全范围内。此外，该器件对静电放电（ESD）有一定的防护能力，但仍建议在装配和使用过程中采取适当的防静电措施以避免损伤栅极氧化层。UF4N20Z还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，能够在快速变化的电压和电流环境下保持稳定工作，防止误触发或局部热点形成。这些综合特性使其成为中小功率电力电子设备中理想的功率开关元件之一。

UF4N20Z广泛应用于各类中低功率电力电子设备中，尤其适用于需要200V耐压等级的直流变换与交流逆变场合。在开关电源领域，它常用于反激式、正激式或半桥拓扑结构中的主开关管，承担能量传递和电压调节功能，适用于适配器、充电器、LED驱动电源等产品。在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是升降压（Buck-Boost）电路，UF4N20Z均可作为主控开关使用，凭借其低Rds(on)和快速响应特性，提升转换效率并减小温升。在太阳能微逆变器或小型光伏并网设备中，该器件可用于H桥或推挽电路中进行高频逆变操作，将直流电转换为交流电输出，满足清洁能源系统的电能转换需求。
　　此外，在电机控制应用中，如风扇、水泵或小型电动工具的驱动模块中，UF4N20Z可用于PWM调速控制，实现精确的速度调节和软启动功能，延长电机寿命并降低能耗。在照明系统中，特别是高压LED灯条驱动方案中，该MOSFET可作为恒流源的开关元件，配合电感和控制IC实现稳定的电流输出。工业自动化设备中的继电器替代、固态开关或电磁阀驱动也是其典型应用场景之一。由于其封装便于自动化贴片生产，因此非常适合批量制造的消费类电子产品和工业模块化设计。

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　　 "FQP4N20C",
　　 "STP4NK20ZFP",
　　 "IRF4N20",
　　 "AP4N20GP"
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