型号：UF4N20
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4A（25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.2Ω（@VGS=10V, ID=2A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：快恢复
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

UF4N20采用高性能沟槽式硅基工艺制造，具备优异的导通特性和开关性能。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(on)典型值仅为2.2Ω，有效降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。这对于需要长时间运行且对能效要求较高的应用如LED照明电源和AC-DC适配器尤为重要。同时，较低的RDS(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计，降低系统成本。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得在高频开关环境下仍能保持较低的开关损耗。这使其非常适合用于工作频率较高的开关电源拓扑结构，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及LLC谐振变换器中。此外，UF4N20具备较强的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路等异常情况下吸收一定的能量而不损坏，从而提高整个电源系统的鲁棒性与安全性。
　　从可靠性角度来看，UF4N20的工作结温范围可达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括高温工业现场或低温户外设备。其栅氧化层经过优化设计，可承受高达±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的误触发或击穿风险。封装方面，TO-220或TO-247不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导性能，便于安装散热片以进一步提升功率处理能力。
　　值得一提的是，UF4N20作为一款国产MOSFET，在性价比方面相较于国际品牌更具优势，同时供货稳定，已成为许多电源制造商进行国产化替代的重要选择。其引脚排列符合标准三极管规范，兼容现有PCB布局设计，便于替换同类产品而无需重新布线。综合来看，UF4N20凭借其稳定的性能、可靠的品质和广泛的应用适配性，在中低压功率开关领域展现出强大的竞争力。

UF4N20广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效、小型化和高可靠性的电子设备。常见应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块以及家用电器中的辅助电源（Standby Power Supply）。在这些应用中，UF4N20通常作为主开关管工作于反激式拓扑结构中，利用其低导通电阻和快速开关特性来实现高转换效率和小体积设计。
　　在LED照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，UF4N20被用作初级侧开关元件，支持恒流输出控制，确保灯光亮度稳定并延长灯具寿命。其良好的热稳定性和过载能力使其在密闭灯体内部高温环境中依然能够长期可靠运行。
　　此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中，特别是在工业控制设备、智能电表、通信电源模块等场景中，作为功率级的核心开关组件。在电机驱动电路中，UF4N20可用于H桥或半桥拓扑中的低端开关，实现对小型直流电机的速度与方向控制。
　　由于其具备一定的浪涌耐受能力和抗干扰性能，UF4N20还可应用于光伏逆变器、UPS不间断电源以及电池管理系统（BMS）中的保护与切换电路。总体而言，凡涉及200V以内直流电压切换、要求高效率和长寿命的电力电子装置，均可考虑采用UF4N20作为关键功率开关器件。

FQPF4N20
　　STP4NK60Z
　　2SK2977
　　KIA4N20
　　AP4N20