类型：碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：9mΩ
　　封装类型：TO-247-4
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　栅极电荷（Qg）：100nC
　　短路耐受能力：有
　　符合标准：RoHS
　　功率耗散（Ptot）：340W

UF3SC120009K4S 的主要优势之一是其碳化硅材料所带来的卓越性能。相比传统硅基 MOSFET 或 IGBT，SiC 器件具有更高的导热性、更高的击穿电场强度以及更低的导通电阻。这些特性使得 UF3SC120009K4S 能够在更高频率下工作，同时保持较低的开关损耗，从而提高整体系统的效率。
　　该器件采用 TO-247-4 封装，这种封装设计将功率引脚和信号引脚分离，有助于减少栅极振荡和电磁干扰（EMI），从而提升器件在高频应用中的稳定性。此外，该封装具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高温工作环境。
　　UF3SC120009K4S 具备 120A 的最大漏极电流和 1200V 的漏源电压，适用于高功率应用。其导通电阻仅为 9mΩ，有助于降低导通损耗，提升能效。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了系统在异常工作条件下的可靠性。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）值（约 100nC），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。这对于高频开关应用（如谐振转换器和图腾柱功率因数校正电路）尤为重要。

UF3SC120009K4S 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统。典型应用包括服务器电源、工业电源、电动汽车车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）。其高频开关能力和低损耗特性使其在图腾柱 PFC（功率因数校正）电路中表现出色，有助于提高系统效率并减小功率模块的体积。
　　由于其具备优异的热性能和高电压电流能力，UF3SC120009K4S 也适用于新能源汽车相关应用，例如 DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）中的功率控制模块。在这些应用中，该器件能够提供更高的系统效率和更长的电池续航时间。
　　此外，该器件在工业自动化和能源存储系统中也具有广泛的应用潜力。例如，在储能系统中，UF3SC120009K4S 可用于实现高效的双向 DC-DC 转换器，支持快速充放电管理。在电机驱动系统中，该器件可以提供更高的开关频率和更精确的电流控制，提升电机效率和动态响应能力。

SiC MOSFET 市面上的替代型号包括：Cree/Wolfspeed 的 C3M0065090J、Infineon 的 IMW120R009M1H、STMicroelectronics 的 SCT3045KL、以及 ON Semiconductor 的 NTH080N120SC1。