时间：2025/8/15 9:26:46
阅读：29
UF3SC065030B7S是一款由UnitedSiC（现属于Qorvo）制造的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），专为高效率和高频率应用而设计。该器件采用先进的SiC技术，提供了优异的开关性能和导通损耗特性，非常适合用于电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、太阳能逆变器以及储能系统等。
器件类型：碳化硅FET（SiC FET）
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（典型值）
封装类型：TO-247-3L
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电压（VGS）：-10V至+20V
UF3SC065030B7S具有出色的开关性能，能够在高频条件下运行，从而减少磁性元件的尺寸和整体系统的重量。此外，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件还具备优异的热性能，可以在高温环境下稳定工作。
与传统硅基MOSFET相比，SiC FET在高频应用中展现出更低的开关损耗，这使得它在高功率密度设计中具有显著优势。同时，UF3SC065030B7S的封装设计优化了寄生电感，有助于进一步提升开关性能并减少电磁干扰（EMI）。
该器件还具有良好的栅极氧化层稳定性，能够在较高的栅极电压下长期可靠运行，增强了系统的稳定性和寿命。此外，其反向恢复特性优异，有助于减少在桥式拓扑结构中的损耗和噪声，从而提高整体系统的能效。
UF3SC065030B7S适用于多种高功率、高频电力电子系统。典型应用包括但不限于：高效服务器电源、通信电源、工业电源、电池充电系统、光伏逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备。此外，它还可用于各类高功率密度转换器，如LLC谐振转换器、相移全桥（PSFB）转换器以及图腾柱功率因数校正（PFC）电路等。由于其优异的高频性能，该器件也常用于高频DC-DC转换器和无线电源系统中。
SiC3.650A30K, SCT3030AL, UF3SC065030B7SAG
