型号：UF3N25ZL-TN3-R
　　制造商：Qorvo (原 UnitedSiC)
　　产品类别：肖特基二极管
　　技术类型：碳化硅（SiC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A @ TC=125°C
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：40A @ 8.3ms sine wave
　　正向电压降（VF）：典型值1.7V @ IF=3A, TJ=25°C；最大值1.9V @ IF=3A, TJ=25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值0.1μA @ VR=650V, TJ=25°C；最大值100μA @ VR=650V, TJ=150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约25°C/W
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：3
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

UF3N25ZL-TN3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件实现了真正的“零反向恢复电荷”（Qrr ≈ 0），这意味着在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流，从而极大地降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性对于高频开关电源尤为重要，因为它允许主开关器件（如MOSFET或IGBT）在零电流或近似零电流条件下关断，显著提升系统效率并减少对复杂缓冲电路的需求。其次，尽管SiC肖特基二极管不具备传统PN结二极管的雪崩耐受能力，但UF3N25ZL-TN3-R通过优化的芯片设计和封装结构，在瞬态过压和浪涌电流方面仍具备较强的鲁棒性，可在实际应用中应对一定程度的电压尖峰和电流冲击。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），使其非常适合在高温环境下运行，例如靠近变压器或功率电感的区域，无需额外强制冷却即可维持稳定性能。同时，较低的正向压降（VF）不仅减少了导通损耗，还提升了系统的整体能效，尤其是在轻载和中等负载条件下效果更为明显。相比传统硅快恢复二极管，UF3N25ZL-TN3-R在相同电流下的功耗可降低30%以上，有助于缩小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。此外，该器件具有极快的响应速度和几乎恒定的电容特性，不受偏置电压影响，这使得其在高频PFC电路、LLC谐振变换器和DC-DC转换器中表现出优异的动态响应能力。
　　在可靠性方面，UF3N25ZL-TN3-R经过严格的寿命测试和环境应力筛选，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）以及温度循环测试，确保在工业级和汽车级应用场景下的长期稳定性。其TO-252封装提供了良好的热传导路径，便于PCB布局和热管理设计。此外，三引脚设计允许将中间引脚连接至散热焊盘或地线，进一步增强电气安全性和热性能。总体而言，UF3N25ZL-TN3-R凭借其出色的静态与动态参数、高可靠性和易于集成的特点，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件之一。

UF3N25ZL-TN3-R主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力转换系统中。典型使用场景包括：在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrCM）功率因数校正（PFC）电路中作为升压二极管，用于消除反向恢复带来的损耗并提升整体效率；在桥式整流电路中替代传统硅二极管，特别适用于通信电源、服务器电源和工业电源模块，以实现更高的功率密度和更低的温升；在太阳能光伏逆变器的直流侧整流与防逆流保护电路中，利用其低温漂特性和高耐压能力保证系统全天候稳定运行；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中作为辅助电源或主功率回路中的整流元件，发挥其高频低损的优势；在LED驱动电源和大功率适配器中用于次级侧同步整流或自由轮放电路径，有效减少发热并延长产品寿命；此外，该器件也可用于不间断电源（UPS）、电机驱动器中的续流/箝位二极管以及各类DC-DC变换器拓扑结构中，特别是在硬开关和准谐振电路中表现出卓越的动态性能。由于其优异的温度稳定性和抗扰度，UF3N25ZL-TN3-R也被广泛用于严苛工业环境和部分汽车电子系统中，支持小型化、轻量化和绿色节能的设计趋势。

UF3N25ZL-E3