型号：UF3N25ZL-AA3-R
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：SiC MOSFET
　　漏源电压VDS：650V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（at TC=25°C）：38A
　　连续漏极电流ID（at TC=100°C）：24A
　　脉冲漏极电流IDM：114A
　　导通电阻RDS(on)（max）：25mΩ @ VGS=20V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：22mΩ @ VGS=20V
　　阈值电压Vth：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容Ciss：4330pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容Coss：290pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　反向传输电容Crss：50pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　栅极电荷Qg（total）：76nC @ VDS=400V, ID=19A
　　反向恢复电荷Qrr：0C（无体二极管）
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：SMD-8L（HREST）
　　安装方式：表面贴装

UF3N25ZL-AA3-R采用了ROHM独有的第三代沟槽式碳化硅MOSFET技术，这种结构相较于传统的平面栅SiC MOSFET显著降低了导通电阻和寄生电容，从而在高频开关条件下实现更低的导通损耗和开关损耗。其核心优势在于材料层面——碳化硅具有比硅高出约10倍的临界击穿电场强度，同时热导率也更高，使得器件能够在更高的电压等级下工作，并有效传导热量，避免局部过热导致的失效。由于采用了沟槽栅设计，单位面积内的沟道密度增加，进一步提升了载流子迁移效率，使RDS(on)×A品质因数达到行业领先水平。
　　该器件具备出色的高温稳定性，即使在175°C的最高结温下也能稳定运行，无需额外降额使用，这极大提高了系统在恶劣环境下的可靠性。同时，其栅氧化层经过特殊工艺处理，增强了长期工作的耐压能力和抗闩锁性能，确保在反复开关过程中不会因电压应力积累而导致早期老化或击穿。UF3N25ZL-AA3-R还表现出极低的门极电荷（Qg）和反向传输电容（Crss），这意味着在高频PWM控制中可大幅减少驱动功耗，并降低噪声耦合风险，有助于提高整体系统的EMI性能。
　　值得注意的是，该SiC MOSFET不具备传统意义上的PN结体二极管，因此在需要反向导通的应用中必须外接并联二极管（如SiC肖特基势垒二极管），以避免反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰。此外，其表面贴装封装形式不仅节省空间，还能通过PCB散热焊盘实现高效热管理，特别适合自动化生产流程。综合来看，UF3N25ZL-AA3-R凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为下一代高效电力电子系统中的关键元件之一。

UF3N25ZL-AA3-R广泛应用于各类高功率密度和高能效要求的电力电子系统中。在电动汽车领域，它常用于车载充电机（OBC）的PFC（功率因数校正）级和DC-DC转换器中，利用其高频低损特性实现更小体积、更高效率的能量转换，从而延长续航里程并缩短充电时间。在工业电源方面，该器件适用于大功率服务器电源、电信整流器和UPS不间断电源系统，能够显著降低系统温升，提高能源利用率，并支持更高频率的开关操作以减小磁性元件尺寸。
　　在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能系统，UF3N25ZL-AA3-R因其优异的高温性能和快速开关能力，可在阳光强烈或环境温度较高的条件下持续高效运行，提升发电效率并降低维护成本。此外，该器件也适用于高频感应加热、激光电源、医疗设备电源等对动态响应和稳定性要求较高的专业设备中。
　　由于其SMD-8L封装支持自动贴片工艺，非常适合大规模量产应用，尤其在追求小型化和轻量化的现代电子产品设计中具有明显优势。配合合适的驱动电路和散热设计，UF3N25ZL-AA3-R能够充分发挥SiC器件的潜力，帮助工程师实现更高功率密度、更低能耗和更长寿命的电源解决方案。

SCT3025ALHR-T4
　　CMF25120D