类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：160mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：220mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

UF3GT/R 具备多项优异的电气特性和可靠性设计，使其适用于多种功率管理应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。在Vgs=10V时为160mΩ，在Vgs=4.5V时为220mΩ，这种特性使得它能够在较低的栅极驱动电压下依然保持良好的性能，适用于多种控制电路。
　　其次，UF3GT/R 采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，提高了器件的电流承载能力和热稳定性，确保在高负载条件下依然能够稳定运行。
　　此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压额定为30V，栅源电压为20V，这使其能够适应较为严苛的工作环境，并具有较好的抗过压能力。
　　UF3GT/R 的最大连续漏极电流为3.1A，适合用于中等功率的开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。
　　器件的封装形式为SOP-8，这种封装不仅节省空间，而且具有良好的热管理和电气性能，适用于表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
　　UF3GT/R 还具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），适合在各种环境条件下使用，包括汽车电子、工业控制和消费类电子产品。

UF3GT/R 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种：
　　在电源管理系统中，UF3GT/R 可作为高效的开关元件，用于实现DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统中的功率控制。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载电源管理、LED照明驱动和电动马达控制等应用，其高可靠性和宽温度范围非常适合车载环境的严苛要求。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，UF3GT/R 可用于电源管理单元（PMU）或负载开关，以提高能效和延长电池续航时间。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于驱动继电器、传感器和执行器等外围设备，实现高效的功率控制。
　　另外，UF3GT/R 还可用于马达驱动电路、LED驱动器和便携式设备中的电源管理模块。

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, IRLML2502