类型：碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：120A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
　　封装形式：TO-247-3L
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　短路耐受能力：典型600V/50A下5μs
　　反向恢复时间（trr）：＜25ns
　　功耗（Pd）：300W

UF3C065030K3S 具有多个显著的性能优势。首先，其碳化硅材料使其能够在更高的电压和温度下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。该器件的低导通电阻（30mΩ）减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，使其适用于高频开关应用，从而减小磁性元件的尺寸和重量，提高系统功率密度。
　　另一个关键特性是其优异的短路耐受能力，可在高应力条件下提供更高的可靠性。同时，该器件的反向恢复时间极短（＜25ns），大大降低了在同步整流和桥式电路中的损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该MOSFET的栅极驱动简单，兼容标准12V或15V驱动器，无需额外的负压驱动电路，降低了系统设计的复杂性。
　　从封装角度来看，TO-247-3L封装设计优化了散热性能，提高了热稳定性，并且适用于工业标准插件和焊接工艺。该封装具备良好的机械强度和热循环稳定性，适合高可靠性要求的应用场景。

UF3C065030K3S 适用于多种高功率、高频电力电子系统。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电驱逆变器，提升能效并减小系统体积。在工业电源系统中，该MOSFET可用于高功率密度的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及电池储能系统。此外，在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风能变流器中，UF3C065030K3S 可提供高效率和高可靠性的功率转换方案。
　　由于其优异的动态性能和低开关损耗，该器件也常用于无线充电系统、感应加热设备以及电机驱动器等高频应用。在电力基础设施方面，如智能电网和能源管理系统中，该MOSFET可提高系统整体效率和稳定性。

SiC MOSFET替代型号包括Cree/Wolfspeed的C3M0060065J、Infineon的IMZA65R030M1H、STMicroelectronics的SCT20N120AM2AAG