UF3055G-TN3-R 时间：2025/12/27 7:56:37 阅读：8

UF3055G-TN3-R是一款由UTC（友顺科技股份有限公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，适用于高效率的电源管理与功率开关应用。该器件封装在DFN3x3-8L的小型化无铅表面贴装封装中，具有低热阻和优良的散热性能，适合在空间受限且对热性能要求较高的应用场景中使用。UF3055G-TN3-R广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统的负载开关以及电机驱动等场合。该MOSFET设计符合RoHS环保标准，不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其高电流承载能力和快速开关特性使其成为许多中低压功率转换系统的理想选择。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，提高了系统在瞬态过压和过流条件下的可靠性。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：15A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=10V：7.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V：11mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.5V，范围1.0~2.3V
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：典型值400pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3-8L

特性

UF3055G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻Rds(on)，这使得它在大电流条件下能够显著降低导通损耗，从而提高整个系统的能效。其在Vgs=10V时Rds(on)仅为7.5mΩ，在Vgs=4.5V时也仅达到11mΩ，表明其即使在较低的驱动电压下仍能保持优异的导通性能，非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的开关电源应用。这种低Rds(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少能量浪费，延长续航时间。
　　该器件具有较高的电流密度，能够在紧凑的DFN3x3-8L封装中持续承载高达15A的漏极电流（在良好散热条件下），并可承受高达60A的脉冲电流，展现出卓越的动态负载处理能力。其较小的封装尺寸不仅节省PCB布局空间，还通过底部暴露焊盘设计有效增强了热传导路径，有助于将芯片内部产生的热量迅速传递至PCB，防止因温升过高而导致性能下降或损坏。
　　UF3055G-TN3-R的输入电容和输出电容均经过优化，确保了快速的开关响应速度，同时降低了开关过程中的能量损耗。这对于高频工作的DC-DC变换器至关重要，例如在同步降压转换器中作为上管或下管使用时，可以实现更高的转换效率和更小的外围滤波元件体积。此外，较短的反向恢复时间减少了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰，进一步提升了系统的稳定性和EMI性能。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性与长期可靠性，其最大工作结温可达+150°C，并支持宽泛的环境温度范围，适用于工业级和消费类电子产品的严苛运行条件。内置的栅极保护结构可有效防止静电放电（ESD）损伤，增强了生产过程中的耐用性。总体而言，UF3055G-TN3-R是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，特别适用于追求小型化、高效能和高可靠性的现代电源设计。

应用

UF3055G-TN3-R主要用于各类中低电压直流电源转换系统中，常见于同步整流型DC-DC降压转换器，作为主开关或同步整流开关使用，以提升整体转换效率。它也广泛应用于便携式电子设备的电池管理系统中，作为负载开关或电池隔离开关，用于控制电池对不同功能模块的供电通断，实现节能和安全保护。在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动小型直流电机或步进电机，凭借其低导通电阻和高电流能力确保电机启动和运行的稳定性。此外，它还可用于LED驱动电源、热插拔控制器、电源分配单元以及各类工业控制板卡中的功率切换回路。由于其小型化封装和优良的热性能，特别适合部署在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、移动电源、智能家居控制模块等对空间和功耗敏感的产品中。