时间：2025/8/15 4:44:21
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UF302G 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：≤7.5mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
UF302G 的主要特性包括：低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率；较高的电流承载能力，支持在高负载条件下稳定工作；具备良好的热稳定性和散热性能，适用于高功率密度设计；同时，其TO-252封装形式便于安装和散热管理，广泛适用于各种功率电子系统中。
此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于与各种控制IC配合使用。其快速开关特性也有助于提升系统的动态响应和效率，适用于高频开关应用。UF302G 还具备一定的抗雪崩击穿能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
UF302G 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、逆变器、LED驱动电源以及各种工业控制设备中的功率开关部分。其优异的导通特性和高频响应能力，也使其适用于需要高效率和高性能的嵌入式电源系统。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6030L, AOD4144
