类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V，32mΩ @ VGS=4.5V
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

UF3004-T/R 采用了先进的沟槽式MOSFET工艺技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其漏源电压为30V，栅源电压可达±20V，具有较强的电压耐受能力，适用于多种中低压功率应用。
　　该MOSFET可支持高达4.4A的连续漏极电流和17.6A的脉冲漏极电流，适用于需要瞬态高电流的应用场景。
　　其SOP-8封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热性能，有助于提高器件在高功率密度设计中的可靠性。
　　此外，UF3004-T/R 还具有快速开关特性，适用于高频DC-DC转换器和负载开关等应用，有助于减小外围元件体积并提升系统响应速度。
　　由于其具备较高的集成度和较低的导通损耗，UF3004-T/R 非常适合用于便携式电子产品、电源管理系统、LED驱动电路以及电池保护电路中。

UF3004-T/R 主要应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器和同步整流电路，用于提高电源转换效率并减小系统体积。
　　2. 负载开关电路，用于控制电源的通断，如在移动设备中实现不同功能模块的电源管理。
　　3. 电池管理系统，用于电池充放电控制、过流保护和负载切换。
　　4. 马达驱动和继电器替代电路，用于实现无刷直流马达控制和固态开关功能。
　　5. LED背光驱动和电源分配系统，用于提高能效并减少发热。
　　6. 通用功率开关应用，如工业控制、智能电表和家用电器中的电源管理模块。

Si2302DS-T1-GE3, FDS6675, IRF7404, AO3400A, NTD4859NT4G