类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：30V
　　平均正向电流（IF(AV)）：2A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大反向漏电流（IR）：10μA
　　正向压降（VF）：典型值1.4V（在2A时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装
　　是否符合RoHS：是

UF2N30ZG-AA3-R的核心优势在于其采用的碳化硅半导体材料所带来的卓越电学性能。与传统硅基PIN二极管相比，这款SiC肖特基二极管几乎不存在少数载流子的储存效应，因此在关断过程中没有反向恢复电荷（Qrr接近于零），从而极大降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于高频开关电源系统中，例如在连续导通模式（CCM）下的升压PFC电路中作为输出整流二极管，可以显著提升整体系统效率并简化散热设计。由于其极低的反向恢复电荷，在硬开关拓扑结构中也能有效减少电压尖峰和振荡现象，提高系统的可靠性和安全性。
　　该器件具有非常宽的工作温度范围，最高可承受+175°C的结温，这使得它可以在高温环境中稳定运行而无需额外增加复杂的冷却措施。这种优异的热性能得益于碳化硅材料本身较高的热导率以及良好的器件封装设计。即使在极端负载条件或瞬态过热情况下，UF2N30ZG-AA3-R仍能保持稳定的电气参数表现，避免发生热失控现象。此外，其较低的正向压降（VF）意味着更小的导通损耗，进一步提升了能效水平，尤其在大电流持续导通的应用场景中效果更为明显。
　　UF2N30ZG-AA3-R还具备出色的动态可靠性，能够承受多次热循环而不影响其长期性能。其封装结构经过优化设计，确保机械强度高且具有良好的耐湿性和抗腐蚀能力，适用于各种恶劣工业环境。同时，该器件对dv/dt应力具有较强的耐受能力，减少了因快速电压变化引起的误触发风险。其表面贴装封装形式支持自动贴片工艺，有利于提高生产效率和产品一致性，特别适合用于大批量制造的电源模块和功率转换设备中。

UF2N30ZG-AA3-R主要用于需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。常见应用场景包括服务器电源、通信电源、光伏逆变器中的直流链路整流、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业级AC-DC和DC-DC转换器。在功率因数校正（PFC）电路中，该二极管常被用作升压整流元件，利用其零反向恢复特性来降低开关管的应力并提升系统效率。在太阳能发电系统中，其高耐压、低损耗特性有助于提高逆变器的整体能量转化效率，尤其是在部分光照条件下仍能维持较高性能。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热装置等要求高可靠性的工业电源领域。由于其良好的热稳定性和紧凑封装，也可用于空间受限但散热需求高的便携式或嵌入式电源模块设计中。

UF3N30ZG-AA3-R
　　UF2N30ZG-AU3-R
　　SDB2030A