时间：2025/9/5 16:04:15
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UF2007-T/R是一款由UTC（Unisonic Technologies）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻和快速开关特性。由于其封装形式为TO-252（DPAK），因此适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑的PCB布局中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252（DPAK）
UF2007-T/R的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的快速开关能力使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，UF2007-T/R具备良好的热稳定性和高耐用性，能够在恶劣的环境条件下运行。其TO-252封装形式不仅有助于提高散热效率，还支持自动化的表面贴装工艺，提高了生产效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在10V至20V之间工作，从而提供了更灵活的驱动设计选项。
UF2007-T/R广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关和逆变器等。其高耐压和大电流能力使其特别适用于需要高可靠性和高效率的工业控制、电源管理和消费类电子产品设计。
IRFZ44N, FDPF5N20, FQP7N20
