类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：1.2A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UF1J-TR 的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中能够最大限度地减少功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的漏极-源极电压额定值为 30V，使其能够承受较高的电压应力，适用于各种电源管理应用。
　　该 MOSFET 采用 ROHM 的先进制造工艺，确保了器件在高温和高负载条件下的稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境中使用。同时，SOT-23 小型封装设计有助于节省电路板空间，适用于对尺寸要求较高的便携式设备。
　　UF1J-TR 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。这种特性使其非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。

UF1J-TR 通常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备以及便携式电子设备。由于其低导通电阻和高效率特性，它特别适合用于需要高能效和小尺寸解决方案的应用场景。此外，该器件还可用于 LED 驱动电路、电机控制电路以及各种开关电源应用中。
　　在电池供电设备中，UF1J-TR 可用于电池保护电路，以防止过电流和短路故障。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，实现高效的能量转换。由于其高频开关特性，它也适用于需要高速开关的 PWM 控制电路。

[
　　 "2N7002, FDN335N, BSS138"
　　]