时间：2025/8/15 2:53:12
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UF1601FCT 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率开关电路中。这款器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高开关性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块以及各类中高功率电子系统。
类型：MOSFET（N沟道增强型）
漏源电压 VDS：20V
栅源电压 VGS：±12V
连续漏极电流 ID：6A
导通电阻 RDS(on)：23mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻 RDS(on)：28mΩ @ VGS = 2.5V
功率耗散 PD：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DFN2020（2x2mm）
安装类型：表面贴装（SMT）
UF1601FCT 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备非常低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其 20V 的漏源电压额定值使其适用于多种低压电源管理系统，如电池供电设备、便携式电子产品和小型 DC-DC 转换器。该器件的栅极驱动电压支持低至 2.5V，兼容多种低压控制 IC，提高了设计的灵活性。
此外，UF1601FCT 使用 DFN2020 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，并具备良好的热性能，有助于在高电流工作条件下保持稳定。其表面贴装封装也便于自动化装配和回流焊工艺。
在可靠性方面，UF1601FCT 具备良好的高温稳定性和抗热阻能力，适用于宽温度范围内的工业级应用。它还具备良好的短时过载承受能力，可以在瞬态负载条件下保持稳定运行。
UF1601FCT 主要应用于需要高效、小体积功率开关的场合，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元、便携式电子设备、USB PD 电源控制、LED 照明驱动电路以及各类嵌入式系统中的电源控制模块。由于其低导通电阻和小封装特性，特别适合对空间和效率有较高要求的设计。
Si2302DS, AO4406A, FDN340P, BSS138K
