UF1006FCT 是一款由UTC(Unisonic Technologies)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备较低的导通电阻和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制及负载开关等多种功率电子系统。UF1006FCT采用SOT-223封装,适合表面贴装工艺,具备良好的散热能力。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(ON)):≤28mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(ON)):≤38mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD):1.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-223
UF1006FCT具有低导通电阻(RDS(ON))特性,这使得在导通状态下的功率损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。其低导通电阻在不同栅极驱动电压下表现稳定,支持在10V和4.5V驱动条件下均具备良好性能,适应多种驱动电路设计。
此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。SOT-223封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于在高密度PCB设计中使用,适用于空间受限的应用场景。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持与多种控制器和驱动器的兼容性,提高了设计灵活性。同时,其快速开关特性有助于降低开关损耗,提升工作频率下的效率表现。
UF1006FCT广泛应用于各种电源管理系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、负载开关以及电机驱动电路。由于其出色的导通性能和散热设计,该器件也非常适合用于高效率、高频开关电源设备中。
在消费类电子产品中,UF1006FCT可用于电源适配器、充电器和LED驱动电路;在工业自动化领域,它可用于PLC模块、伺服驱动器和传感器供电系统。此外,在电动车、电动工具及储能系统中,该MOSFET也可作为关键的功率控制元件。
Si2302DS, AO3400A, IRLL2703PBF