时间：2025/12/24 17:20:22
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UES2606R 是一款由UTC（Unisonic Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。UES2606R通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中，以提供高效的功率控制解决方案。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约90nC
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
UES2606R的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高电流条件下仍能保持稳定的性能，适用于高功率密度设计。其采用的沟槽式工艺不仅提高了器件的开关速度，还减少了开关损耗，使得UES2606R能够在高频开关应用中表现出色。
此外，UES2606R具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，便于安装和散热管理。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制IC和驱动电路。其耐用的结构设计和高可靠性使其在各种恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。
UES2606R广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。此外，它也常用于汽车电子系统中的功率控制模块，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电动空调压缩机控制电路。
由于其高效率和高可靠性的特点，UES2606R也适用于服务器电源、通信设备电源模块、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换部分。
SiHF60N60E（Siliconix）、IRF1404（Infineon）、FDP6030（Fairchild）、STP60NF06（STMicroelectronics）
