时间：2025/10/6 16:55:12
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UEP1V4R7MDD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，具备优异的开关性能和热稳定性，适用于高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子系统。与传统的硅基二极管相比，UEP1V4R7MDD在反向恢复特性、导通损耗和开关损耗方面具有显著优势，能够有效提升电源系统的整体能效。该二极管的额定电压为1200V，典型电容值为4.7nF，采用模块化封装设计，适合用于大功率应用场合，如工业电机驱动、可再生能源逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等。
UEP1V4R7MDD的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其能够在更高的温度下稳定运行，并且具有更低的正向压降和几乎无反向恢复电荷的特性，从而大幅减少开关过程中的能量损耗。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的抗扰能力，有助于降低电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计。其模块化封装形式便于集成到复杂的功率模块中，支持并联使用以满足更高电流需求的应用场景。
型号：UEP1V4R7MDD
制造商：Qorvo (原UnitedSiC)
二极管类型：碳化硅肖特基二极管
重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
直流反向电压（VR）：1200V
平均整流电流（IF(AV)）：4.7A
浪涌电流（IFSM）：60A
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
正向电压（VF）：典型值1.7V @ 4.7A
反向漏电流（IR）：典型值200μA @ 1200V, 25°C
电容（CT）：典型值470pF @ 1MHz
封装类型：TO-247-2L
安装方式：通孔安装
UEP1V4R7MDD作为一款高性能碳化硅肖特基二极管，其最突出的特性之一是零反向恢复电荷（Zero Qrr）行为。传统硅基PIN二极管在关断过程中会产生明显的反向恢复电流和电荷，导致显著的开关损耗和电压振铃现象，尤其在高频开关应用中问题更为严重。而UEP1V4R7MDD基于碳化硅材料的肖特基势垒结构，从根本上消除了P-N结的少数载流子存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流，极大降低了开关损耗，提升了系统效率，并减少了对散热系统的设计压力。
其次，该器件具有出色的高温工作能力。碳化硅材料的宽禁带特性使其能够在高达+175°C的结温下长期稳定运行，远高于传统硅器件的150°C上限。这一特性使得UEP1V4R7MDD非常适合应用于高温环境，例如靠近功率开关器件或密闭空间内的电源模块中，无需额外增加复杂冷却措施即可保持可靠性。同时，在高温条件下其反向漏电流仍保持在较低水平，避免了热失控风险。
此外，UEP1V4R7MDD具备良好的动态性能和电磁兼容性。由于没有反向恢复电荷，其开关动作非常干净，几乎不产生dv/dt引起的噪声尖峰，有助于降低系统级电磁干扰（EMI），从而简化EMI滤波器设计，减小滤波元件体积和成本。这对于要求高功率密度和低噪声的应用（如伺服驱动器、光伏逆变器）尤为重要。
最后，该器件采用标准TO-247-2L封装，引脚兼容性强，便于替换传统硅二极管或与其他SiC/Si器件协同使用。其坚固的封装结构也提供了良好的机械强度和热传导性能，可通过外部散热器有效导出热量，确保长期运行的稳定性。
UEP1V4R7MDD广泛应用于各类高效率、高频率和高可靠性的电力转换系统中。在工业电源领域，常用于有源前端（AFE）整流器、不间断电源（UPS）和伺服驱动器中的升压二极管或续流二极管，利用其零反向恢复特性来提高系统效率并降低开关应力。
在可再生能源系统中，该器件被大量应用于太阳能光伏逆变器和风力发电变流器中，作为DC-DC升压级或桥式电路中的关键元件，帮助实现更高的能量转换效率和更紧凑的系统设计。其高温耐受能力也使其适用于户外或高温环境下长期运行的设备。
在电动汽车相关应用中，UEP1V4R7MDD可用于车载充电机（OBC）、直流快充桩以及辅助电源系统中，支持高频软开关拓扑（如LLC谐振转换器、移相全桥等），提升充电效率并缩小磁性元件体积。
此外，该器件还适用于工业电机驱动、电信电源、高端服务器电源及医疗设备电源等对效率和可靠性要求极高的场合。其优异的动态响应和热稳定性使其成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键组件。
UF3C120047K3S
SCT3045ALGE3/H
CCS04060M1
