型号：UEP1H4R7MDD
　　制造商：United Silicon Carbide (UnitedSiC)
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向电流（IF(AV)）：4.7 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：60 A
　　最大正向电压（VF）：1.7 V @ 4.7A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：10 μA @ 1200V, 25°C；1.0 mA @ 1200V, 150°C
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：TO-247-3L
　　热阻结到外壳（RθJC）：2.5 °C/W
　　电容典型值（CT）：4.7 nF @ 1 MHz

UEP1H4R7MDD的核心特性源于其采用的第四代碳化硅肖特基势垒技术，该技术通过优化金属-半导体接触界面，有效抑制了高温下的反向漏电流，同时保持极低的正向导通压降。这一设计使得器件在全温度范围内均表现出优异的电学性能，特别是在高温工作状态下仍能维持稳定的反向阻断能力。由于碳化硅材料具有高达3.2 eV的宽禁带，其本征载流子浓度远低于硅，因此在150°C以上时漏电流增长缓慢，避免了传统硅基PIN二极管在高温下漏电流急剧上升的问题。此外，该器件不存在少子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流或恢复电荷（Qrr ≈ 0），从根本上消除了由反向恢复引起的开关损耗和电压振荡，极大提升了系统在高频软开关拓扑（如LLC谐振变换器、图腾柱PFC等）中的效率与稳定性。
　　另一个关键优势是其出色的动态性能。在高速开关应用中，传统硅二极管的反向恢复行为不仅增加损耗，还会激发寄生电感产生高压尖峰，导致EMI问题和器件应力增大。而UEP1H4R7MDD由于无反向恢复特性，可显著降低这些瞬态效应，简化滤波设计并提高系统可靠性。同时，其较低的结电容（典型值4.7nF）进一步减少了高频下的容性损耗，有利于实现更高开关频率的设计，从而缩小磁性元件和电容的体积，提升功率密度。
　　在热管理方面，UEP1H4R7MDD采用TO-247-3L封装，具备优良的热传导路径，热阻结到外壳仅为2.5°C/W，确保在高负载条件下热量能够高效传递至散热系统。该封装还提供三个引脚配置，便于优化PCB布局和驱动回路设计，减少寄生电感影响。此外，器件具备良好的抗浪涌能力，可承受高达60A的非重复峰值电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，UEP1H4R7MDD凭借其高性能、高可靠性和易于集成的特点，成为现代高效能电力电子系统中不可或缺的关键元件。

UEP1H4R7MDD广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力转换系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关电源（SMPS）中的输出整流或辅助电源整流，因其低VF和零Qrr特性可显著提升转换效率，尤其在满载和轻载条件下均能保持良好性能。在新能源发电系统中，如光伏（PV）逆变器，该二极管可用于直流侧旁路保护或MPPT电路中的防反流功能，利用其高耐压和高温稳定性确保长期可靠运行。在电动汽车基础设施方面，UEP1H4R7MDD适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）级，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中，其无反向恢复特性可避免体二极管导通问题，提升系统效率至99%以上。此外，在数据中心和通信电源系统中，该器件被用于高效率服务器电源模块（如80 PLUS钛金标准电源），帮助实现更高的能效等级和更低的运营成本。在不间断电源（UPS）系统中，UEP1H4R7MDD可用于逆变器输出整流或电池接口保护电路，提供快速响应和低损耗的电流路径。在电机驱动和工业变频器中，该二极管可用作续流二极管，配合IGBT或SiC MOSFET工作，减少换流过程中的能量损耗和电压应力。由于其宽温域工作能力和高可靠性，也适用于航空航天、轨道交通等对安全性要求极高的领域。总体而言，任何需要高效、高频、高温稳定运行的功率二极管场景，都是UEP1H4R7MDD的理想应用方向。

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