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UE878NMEG_R 发布时间 时间:2025/5/30 17:40:45 查看 阅读:25

UE878NMEG_R是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。其封装形式为TO-263,能够满足大功率应用的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.5mΩ
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达50A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
  5. 封装结构紧凑且耐用,易于安装和散热设计。
  6. 内置ESD保护,提高了器件的可靠性。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 工业电机控制和驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. LED驱动器和DC-DC转换器。
  5. 各类需要高效功率管理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5560, STP55NF06L

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