时间：2025/12/25 12:46:34
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UDZVFHTE-178.2B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode）。该器件属于UDZV系列，专为低功率稳压和电压参考应用设计，具有紧凑的SOD-523小型表面贴装封装，适合高密度印刷电路板布局。这款齐纳二极管的标称齐纳电压为8.2V，容差通常为±5%，适用于需要稳定参考电压的便携式电子设备和消费类电子产品中。其结构基于硅PN结技术，在反向击穿区域工作时能提供相对稳定的电压输出，同时具备较低的动态阻抗和良好的温度稳定性。由于采用小尺寸封装，该器件在空间受限的应用中表现出色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类传感器模块。此外，该型号符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造要求。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-523
齐纳电压（Vz）：8.2V @ 测试电流（Iz）= 5mA
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω @ Iz = 5mA
反向漏电流（Ir）：< 1μA @ Vr = 6.6V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
正向电压（Vf）：约1.0V @ If = 10mA
UDZVFHTE-178.2B齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其核心优势之一是采用了ROHM成熟的硅工艺技术，确保了器件在长时间运行中的可靠性和一致性。该器件的动态阻抗较低，典型值为35Ω，这意味着在负载变化或输入波动的情况下，输出电压的变化较小，从而提高了电源稳压系统的精度。此外，该齐纳二极管具有良好的长期稳定性，老化效应微弱，适用于对电压参考精度要求较高的模拟电路和反馈控制系统。
SOD-523封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.2mm x 0.9mm），还具备良好的热传导性能，有助于在有限空间内有效散热。尽管最大功耗仅为200mW，但在适当降额使用条件下，仍能满足大多数低功耗应用场景的需求。该器件的反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎不导通，因此在待机或低功耗模式下不会造成显著的能量损耗，特别适用于电池供电设备。
另外，UDZVFHTE-178.2B通过了AEC-Q101等车用可靠性认证的部分测试项目，虽然主要面向工业与消费类市场，但也具备一定的汽车电子适用潜力。其电气参数经过严格筛选和测试，保证批次间的一致性，便于自动化贴片生产和大规模应用。综合来看，该器件在小型化、稳定性、功耗控制和制造兼容性方面实现了良好平衡，是现代电子系统中理想的电压钳位和参考元件选择。
UDZVFHTE-178.2B广泛应用于各种需要精确电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源管理单元中的电压监测与反馈回路，如DC-DC转换器和LDO稳压器的基准源；也可用于信号调理电路中作为电平钳位器件，防止敏感IC引脚因瞬态电压过高而损坏。在便携式消费电子产品中，如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等，该器件常被用于电池电压检测电路或接口保护电路中，以确保系统在安全电压范围内运行。
此外，它也适用于传感器模块中的偏置电压提供，尤其是在需要稳定参考电压的模拟前端（AFE）设计中表现优异。工业控制领域的微控制器IO口电平转换、总线保护（如I2C、UART线路）也是其典型应用场景。由于其封装小型化，非常适合用于空间受限的高集成度PCB设计。在测试测量仪器和医疗电子设备中，该齐纳二极管可用于构建精密参考电压源或实现电路级的过压防护功能，提升整体系统的可靠性与安全性。
