时间：2025/12/25 10:20:06
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UDZSTE-178.2B是一款由ROHM（罗姆）公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于其UDZS系列的一部分。该器件主要用于电压参考和电压钳位应用，具有稳定可靠的齐纳击穿特性。这款齐纳二极管采用小型表面贴装SOD-323封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制电路中。其标称齐纳电压为8.2V，在测试电流条件下能够提供稳定的电压基准，适用于低功耗场景下的稳压需求。该器件具有良好的温度稳定性和长期可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。由于其紧凑的封装形式和优异的电气性能，UDZSTE-178.2B在空间受限的设计中表现出色，是替代传统轴向引线齐纳二极管的理想选择。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-323
齐纳电压（Vz）：8.2V
容差：±5%
额定功率：200mW
最大齐纳阻抗（Zzt）：35Ω
测试电流（Iz）：5mA
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
反向漏电流（Ir）：≤1μA @ VR = 6.56V
UDZSTE-178.2B齐纳二极管具备出色的电压调节精度和稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的电气性能。其核心特性之一是采用了ROHM成熟的半导体制造工艺，确保了齐纳击穿电压的高度一致性与低噪声输出，这对于需要精确电压参考的应用至关重要。该器件在5mA的标准测试电流下表现出8.2V的标称齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，有助于减少外围补偿电路的需求，简化系统设计。此外，其最大齐纳阻抗仅为35Ω，意味着在负载变化时电压波动较小，提升了整体系统的稳定性。
该器件的SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，支持连续工作条件下的可靠运行。尽管额定功率为200mW，但通过合理设计PCB焊盘面积和布线，可进一步提升其散热能力，延长使用寿命。器件的工作结温可达+150°C，适用于高温环境下的应用，如汽车电子或工业传感器模块。
UDZSTE-178.2B具有极低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，从而减少了待机状态下的功耗，特别适合电池供电设备。同时，该器件对瞬态电压具有一定的抑制能力，可在一定程度上保护后续电路免受过压冲击。其结构设计优化了电应力分布，提高了抗静电（ESD）能力和长期使用的耐久性。作为标准化产品，它已被广泛用于各类电源管理单元、电压检测电路、反馈回路中的参考源等场合，是实现小型化、高效化设计的重要元件之一。
UDZSTE-178.2B常用于需要稳定8.2V电压参考的模拟和数字电路中，典型应用场景包括开关电源的反馈控制环路、DC-DC转换器的电压采样网络、电池充电管理系统中的电压监测点，以及各类微控制器系统的复位电路或电平检测模块。此外，它也可作为浪涌保护电路中的钳位元件，防止敏感IC因瞬时过压而损坏。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件因其小尺寸和高可靠性被广泛采用。在工业自动化设备、传感器信号调理电路以及汽车电子控制单元（ECU）中，也常见其用于提供精准的基准电压。由于其符合AEC-Q101车规级可靠性标准，因此适用于车载环境下的电压稳压与保护应用。
BZT52C8V2
