类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：3.0V
　　容差：±5%
　　额定功率：200mW
　　最大齐纳电流（Izm）：50mA
　　测试电流（Iz）：5mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻（Rth）：625°C/W
　　低漏电流：<1μA @ VR = 1V

UDZSTE-173.0B齐纳二极管在电气与结构设计上展现出多项关键优势，使其成为众多低压稳压与参考电压场景中的优选器件。首先，其3.0V的标称齐纳电压经过精密调控，配合±5%的电压容差，能够在微控制器复位电路、ADC参考源或逻辑电平转换等对电压精度要求较高的场合中提供可靠的稳定输出。该器件在5mA的标准测试电流下工作，此时动态阻抗较低，有助于抑制电压波动，提升系统的抗干扰能力。其采用SOD-323超小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适应高密度组装环境。
　　从材料与工艺角度看，ROHM采用高质量硅基PN结技术，并结合优化的钝化层结构，显著降低了器件在反向偏置状态下的漏电流。实测数据显示，在反向电压仅为1V时，漏电流低于1μA，这有效减少了待机或低功耗模式下的能量损耗，特别适用于电池供电设备。同时，该齐纳二极管具备出色的温度系数控制能力，在-55°C至+150°C的工作温度范围内，电压漂移较小，保证了极端环境下的运行可靠性。其额定功率为200mW，结合625°C/W的热阻参数，可通过合理布局实现有效的热管理，避免因局部过热导致性能下降或失效。
　　此外，UDZSTE-173.0B通过了严格的可靠性认证，包括高温反向偏压（HTRB）和温度循环测试，展现出优异的长期稳定性与耐久性。其无铅设计和符合RoHS指令的特点也满足现代电子产品对环保法规的要求，支持绿色制造流程。整体而言，这款齐纳二极管以其小尺寸、高精度、低漏电和良好热性能，为各类模拟与混合信号电路提供了经济高效的电压基准解决方案。

UDZSTE-173.0B齐纳二极管广泛应用于多个电子领域，尤其适合需要稳定电压参考的小功率电路系统。在消费类电子产品中，它常被用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源监控与电压检测模块，作为微处理器的复位信号生成元件，确保系统在上电或掉电过程中能可靠启动或关闭。在工业控制领域，该器件可用于传感器信号调理电路中，为运算放大器或比较器提供精准的偏置电压，提高测量精度。此外，在电源管理系统中，它可以构成简单的并联稳压电路，为低电流负载提供稳定的3.0V参考电压，替代更复杂的线性稳压器以降低成本和复杂度。
　　在通信设备中，UDZSTE-173.0B可用于接口电平转换电路中，保护后续IC免受过高电压冲击，同时维持信号完整性。其低漏电流特性使其非常适合用于电池供电设备的节能设计中，例如物联网节点、无线传感器网络和便携式医疗设备，在待机状态下最大限度减少静态功耗。另外，该器件也可用于LED驱动电路中的电压钳位，防止反向电压损坏敏感组件。由于其SOD-323封装支持自动贴片工艺，因此在大规模自动化生产中具备良好的可制造性，广泛应用于各类主板、电源板和功能模组中，是实现小型化与高集成度设计的理想选择之一。

MMBZ5226B-7-F,MCP150T-30E/TT,1N4728A,DFZ3.0A-S30