型号：UDZSTE-172.0B
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-323 (SC-90)
　　标称齐纳电压 (VZ)：2.0V @ 测试电流 (IZT)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zzt)：200Ω @ IZT = 5mA
　　最大反向电流 (IR)：1μA @ VR = 1V
　　功率耗散 (Ptot)：200mW
　　工作结温范围 (Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单齐纳二极管，阴极为正向标记端

UDZSTE-172.0B齐纳二极管的核心特性之一是其低电压齐纳击穿机制，该器件在2.0V的低电压下即可实现稳定的齐纳击穿效应，这使其特别适用于现代低功耗、低电压供电的数字与模拟混合信号系统。由于其工作电压接近许多逻辑电路的阈值电平，因此常被用作电平移位器或信号箝位元件，防止输入信号超出安全范围而损坏敏感IC。该器件在5mA测试电流下的动态阻抗仅为200Ω，表明其在负载变化时能维持较为稳定的输出电压，从而提升系统的电压基准精度。
　　另一个重要特性是其优异的温度稳定性。UDZSTE-172.0B采用经过优化的半导体材料和掺杂工艺，使得其电压温度系数在典型工作范围内保持较低水平，减少了因环境温度波动引起的电压漂移问题。这对于需要长时间稳定工作的工业传感器接口、电池管理系统（BMS）和汽车电子模块尤为重要。同时，该器件支持高达150°C的最大结温，具备出色的热可靠性，可在高温环境下持续运行而不会发生性能退化。
　　封装方面，SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的焊接可靠性和机械强度，适合自动化贴片生产。该封装还具备较低的热阻，有助于将工作时产生的热量有效传导至电路板，提高整体散热效率。此外，UDZSTE-172.0B通过了AEC-Q101认证，意味着其在湿度、温度循环、机械冲击和长期老化等严苛条件下均通过验证，适用于车载摄像头、车身控制模块、车载信息娱乐系统等汽车应用场景。
　　该器件还具有低漏电流特性，在未达到击穿电压前的反向漏电流小于1μA（在1V反向电压下），有效降低了待机状态下的功耗，提升了系统的能效表现。这一特性使其非常适合用于电池供电设备，如可穿戴设备、物联网终端和无线传感器节点等。综上所述，UDZSTE-172.0B凭借其小尺寸、低电压、高稳定性和车规级品质，成为现代电子设计中理想的电压参考与保护元件。

UDZSTE-172.0B主要应用于需要精确电压参考或低压稳压功能的电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于手机、平板电脑和智能手表等设备的电源管理单元中，作为LDO稳压器的反馈参考或ADC/DAC电路的基准源。由于其低工作电压特性，特别适合3.3V或更低电压供电系统的电平匹配与信号保护。
　　在汽车电子领域，该器件广泛用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示驱动、车内照明控制电路以及车载传感器信号调理电路中，提供可靠的电压钳位和瞬态保护功能。其AEC-Q101认证确保了在发动机舱或乘客舱等复杂电磁与温度环境中仍能稳定工作。
　　工业控制方面，UDZSTE-172.0B可用于PLC输入模块的信号限幅、工业传感器接口的过压保护以及远程数据采集系统的基准电压生成。在通信设备中，该器件可用于高速接口（如USB、I2C、SPI）的ESD防护和信号完整性维护，防止静电放电导致通信中断或芯片损坏。
　　此外，该器件也常见于医疗电子设备、智能家居控制系统和电池供电的无线传感网络中，作为低功耗电压基准或电源监控电路的一部分，保障系统在异常电压条件下安全运行。其多功能性和高可靠性使其成为多种嵌入式系统设计中的关键被动元件之一。

MMBZ20VL-7-F
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