制造商：ROHM Semiconductor
　　产品系列：UDZ
　　齐纳电压（Vz）：2.4V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOD-323
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大峰值脉冲电流：未指定典型值
　　动态阻抗（Zzt）：约90Ω @ 1kHz
　　反向漏电流（Ir）：< 1μA @ VR = 1V

UDZ24B的核心特性之一是其精确的电压基准能力，能够在反向击穿状态下提供稳定的2.4V齐纳电压。这种稳压特性基于半导体PN结的齐纳击穿机制，在设定的测试电流（通常为5mA）下表现出优异的电压稳定性。该器件的电压容差控制在±5%以内，保证了不同批次之间的参数一致性，有助于提升系统整体的可预测性和可靠性。其动态阻抗约为90Ω（在1kHz条件下测量），这一数值反映了器件对负载变化的响应能力——较低的动态阻抗意味着更强的电压调节能力。虽然该值相较于更高电压等级的齐纳管略高，但对于2.4V这类低压齐纳二极管而言仍处于合理范围。
　　另一个显著特点是其紧凑的SOD-323封装形式，这种微型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能和机械强度，适用于高频开关环境下的快速响应需求。尽管最大功耗仅为200mW，但在适当的散热设计下，仍能满足大多数低功耗应用的需求。UDZ24B的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其能在极端环境条件下可靠运行，例如工业控制设备或汽车电子系统中的局部稳压单元。
　　此外，该器件具备出色的温度系数表现，在接近2.4V的电压点上，温度引起的电压漂移较小，进一步增强了其作为参考源的适用性。反向漏电流低于1μA（在1V反向电压下），表明其在未达到击穿电压前具有良好的绝缘特性，减少了待机状态下的能量损耗。同时，UDZ24B符合国际环保标准，不含铅等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。其结构设计优化了电场分布，提高了击穿均匀性，降低了噪声水平，适用于对信号完整性要求较高的模拟前端电路。

UDZ24B常用于需要精确低电压参考的电子系统中，尤其是在便携式设备和嵌入式控制系统中发挥重要作用。一个典型应用场景是在电源监控电路中作为电压检测节点，配合比较器或微控制器实现欠压锁定（UVLO）或过压保护功能。当主电源电压波动时，UDZ24B提供的稳定2.4V基准可作为判断阈值，确保系统在安全电压范围内运行。此外，在电池供电设备如智能手表、无线传感器节点或蓝牙耳机中，该器件可用于构建简单的线性稳压辅助电路，为低功耗IC的核心逻辑部分提供局部稳压。
　　在信号调理领域，UDZ24B可用于电平转换和钳位保护。例如，在数字通信接口（如I2C或GPIO信号线）中，将其与限流电阻串联使用，可以将信号幅度限制在2.4V左右，防止因电压过高而损坏敏感的CMOS输入级。这种配置尤其适用于不同电压域之间的信号交互场景，比如3.3V MCU与1.8V传感器通信时的电平适配。
　　在模拟电路中，UDZ24B也可作为运算放大器的偏置电压源或ADC参考电压源（需配合缓冲放大器使用），以提高测量精度。由于其具备一定的温度稳定性，因此在环境温度变化较大的户外设备或工业仪表中也能保持较好的性能一致性。此外，该器件还可用于LED驱动电路中的亮度调节反馈网络，或者作为RC振荡器的时间常数参考元件，提升频率稳定性。总之，凭借其小型化、低功耗和稳定可靠的电气特性，UDZ24B在消费电子、物联网终端、汽车电子及工业自动化等多个领域均有广泛应用。

MMBZ24VLT1G
　　PMBZ24VL1