时间：2025/6/11 14:23:26
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UDT26A05L05-LC1 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了增强型场效应晶体管（eGaN FET）技术，能够显著提高开关速度并降低导通损耗。
这款芯片特别适用于需要高频率、高效能和小体积解决方案的应用场合，例如 DC-DC 转换器、通信电源以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
反向恢复电荷：0nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
UDT26A05L05-LC1 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高达数 MHz 的开关频率。
3. 零反向恢复电荷，进一步降低开关损耗。
4. 小巧的封装设计，适合空间受限的应用。
5. 高可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 支持高电流输出，满足大功率应用需求。
UDT26A05L05-LC1 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 开关电源（SMPS）和通信电源。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的电机驱动。
5. 充电器及适配器。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
UDT26A05L05-RC1
UDT26A05L05-WC1
