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UDT-105D 发布时间 时间:2025/12/27 8:22:48 查看 阅读:15

UDT-105D是一款由UnitedSiC(现已被Qorvo收购)推出的硅 carbide(碳化硅)肖特基二极管,专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,具备优异的开关性能和热稳定性,广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源(UPS)以及功率因数校正(PFC)电路等高端电力电子领域。UDT-105D属于UnitedSiC的UD系列,具有低正向压降、零反向恢复电荷和出色的抗浪涌能力,能够显著降低系统损耗,提升整体能效。其封装形式为TO-247-3L,便于安装在标准散热器上,适用于大功率密度设计。该二极管无需复杂的驱动电路,可直接并联使用以提高电流承载能力,是传统硅快恢复二极管和常规SiC二极管的理想升级选择。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):650 V
  平均正向整流电流(IF(AV)):105 A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):1800 A
  正向压降(VF):典型值1.7 V(在105A, 25°C条件下)
  工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +175 °C
  存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +175 °C
  反向漏电流(IR):最大50 μA(在650V, 25°C);高温下典型值小于1 mA(在650V, 150°C)
  封装:TO-247-3L
  热阻(RθJC):约0.25 °C/W
  引脚配置:阴极、阳极、中间引脚(通常连接到主阳极或用于动态均流)

特性

UDT-105D的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性,使其在高频高压应用中表现出远超传统硅二极管的性能。首先,该器件具备零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰,从而极大降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),提升了系统的整体效率与可靠性。这一特性尤其适用于硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器等对开关噪声敏感的应用场景。
  其次,UDT-105D拥有非常低的正向导通压降,在额定电流105A下的典型VF仅为1.7V,相较于同类SiC二极管具有更优的导通损耗表现,有助于减少热积累,提升功率密度。同时,其可在高达+175°C的结温下持续工作,展现出卓越的热稳定性,适合恶劣工业环境或密闭空间内的长期运行。
  此外,该器件具备极高的浪涌电流承受能力(IFSM达1800A),能够在瞬态过载或启动冲击条件下保持稳定工作,增强了系统的鲁棒性。TO-247-3L封装不仅提供了良好的机械强度和散热性能,还引入了第三个引脚,可用于优化并联使用时的电流均衡,减少因寄生电感不匹配导致的动态失衡问题。
  UDT-105D无需外部缓冲电路即可实现快速开关动作,简化了PCB布局与外围设计。其材料本身耐辐射、抗老化能力强,使用寿命长,维护成本低。总体而言,这款二极管代表了当前碳化硅功率二极管技术的先进水平,是追求高效、紧凑、可靠电源系统设计者的理想选择。

应用

UDT-105D凭借其高性能碳化硅特性,广泛应用于各类高要求的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源中,它被用于功率因数校正(PFC)级,特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中,利用其零反向恢复特性消除开关节点振铃,显著提升转换效率并减小滤波元件体积。
  在太阳能光伏逆变器领域,UDT-105D常用于直流侧升压电路中的续流或输出整流二极管,其高温工作能力和低损耗特性有助于提高逆变器的整体能效,尤其是在光照强烈导致机箱内部温度升高的情况下仍能保持稳定输出。
  电动汽车相关系统,如车载充电机(OBC)和直流快充桩,也大量采用该器件进行能量回馈和电压钳位功能,满足高功率密度和高可靠性需求。此外,在工业电机驱动、感应加热设备和不间断电源(UPS)系统中,UDT-105D作为整流桥臂或续流路径的关键组件,有效降低系统温升,延长设备寿命。
  由于其可并联使用的特性,UDT-105D还可用于构建更高电流等级的整流模块,适用于大型电焊机、电解电源等重工业场合。在航空电子和轨道交通等对安全性要求极高的领域,其固有的材料稳定性和抗干扰能力也使其成为优选方案之一。总之,凡是对效率、尺寸、热管理和可靠性有严苛要求的应用,UDT-105D都能提供强有力的技术支持。

替代型号

SCH2080A-E3

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