时间：2025/7/30 5:14:57
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UDQ2547EBT是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，适用于高频率和高效率的电源转换应用。这款晶体管采用了先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，使其成为DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制等应用的理想选择。UDQ2547EBT采用SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.7A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值）
栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
UDQ2547EBT具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，提供了快速的开关性能，减少了开关损耗，适用于高频操作。此外，UDQ2547EBT的SOP-8封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下也能稳定工作。
此外，UDQ2547EBT内置了静电放电（ESD）保护功能，增强了器件在实际应用中的可靠性。该MOSFET还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的性能。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和便携式设备等应用场景。
UDQ2547EBT广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在消费类电子产品中，该器件也常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块中。在汽车电子领域，UDQ2547EBT可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源系统中，提供高效稳定的功率控制解决方案。
Si2302DS, FDS6680, IRF7413, AO4406
