UDK2559LBTR-T是一款由UnitedSiC(现属于Qorvo)制造的碳化硅(SiC)功率MOSFET,采用先进的碳化硅半导体技术,适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,能够在高温和高电压环境下稳定工作。UDK2559LBTR-T采用TOLL(Twin Outline Large Power Package)封装,适用于工业电源、电动汽车(EV)充电器、太阳能逆变器、储能系统和服务器电源等高性能电力电子系统。
类型:碳化硅(SiC)功率MOSFET
漏源电压(Vds):650V
漏源导通电阻(Rds(on)):20mΩ
栅极电压范围(Vgs):-10V 至 +20V
最大连续漏极电流(Id):250A(在Tc=25°C)
最大工作温度:175°C
封装类型:TOLL
阈值电压(Vth):约3.3V
Qg(栅极电荷):约70nC
Qoss(输出电荷):约500nC
短路额定值:有
UDK2559LBTR-T具有多个显著的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该器件采用碳化硅材料,相比传统的硅基MOSFET,具有更高的热导率、更低的导通损耗和更快的开关速度,从而显著提升系统效率并减少散热需求。其20mΩ的低Rds(on)使得在高电流工作时导通损耗显著降低,适用于大功率密度设计。
其次,UDK2559LBTR-T的TOLL封装设计不仅提供了良好的散热性能,还支持更高的电流承载能力,同时简化了PCB布局和组装工艺。该封装具有双引脚设计,有助于降低封装电感,从而减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)。
此外,该MOSFET具备出色的短路耐受能力,可以在极端工作条件下提供更高的可靠性和安全性。其栅极氧化层设计优化,确保在+20V和-10V的栅极电压范围内稳定工作,避免因过压或负压导致的器件损坏。该器件还具有优异的高温性能,在175°C的工作温度下仍能保持稳定的电气特性,适用于高热应力环境。
UDK2559LBTR-T的开关性能也十分优越,低Qg和Qoss电荷参数使其在高频开关应用中具有更低的开关损耗,适用于高达100kHz以上的开关频率设计。这使得该器件非常适合用于高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及功率因数校正(PFC)电路。
UDK2559LBTR-T广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在电动汽车领域,该器件可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中的功率开关元件,帮助提升能效并减小系统体积。在可再生能源领域,UDK2559LBTR-T可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块,实现更高的能量转换效率和更稳定的运行表现。
此外,该器件适用于工业电源设备,如不间断电源(UPS)、伺服驱动器和电机控制模块。其优异的高频开关性能和低损耗特性,使得在高频率开关应用中表现出色,有助于减小滤波器尺寸并提高系统响应速度。在服务器电源和通信电源系统中,UDK2559LBTR-T可作为主功率开关或同步整流器使用,提升整体能效并降低系统散热需求。
由于其优异的短路耐受能力和高温稳定性,UDK2559LBTR-T还可用于高可靠性要求的航空航天和工业自动化系统中,确保在恶劣环境下的稳定运行。
Qorvo UTDK2559LBTR-T, Infineon IMZ120R020M1H, ON Semiconductor NVHL025N065SC1