类型：IGBT
　　极性：N沟道
　　集电极-发射极击穿电压（BVCES）：1200V
　　集电极电流（IC @ 25°C）：48A
　　集电极电流（ICM）：96A
　　栅极-发射极电压（VGES）：±20V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　导通压降（VCE(sat) @ IC=48A, VGE=15V）：1.75V
　　开关频率典型值：≤50kHz
　　输入电容（Cies）：约2900pF
　　输出电容（Coes）：约430pF
　　反向恢复时间（trr）：约55ns
　　短路耐受时间：≥6μs

UD4809G-TN3-R采用了先进的沟槽栅+场截止（Trench FS）结构设计，这种结构能够有效降低电场在PN结处的集中效应，从而提升器件的耐压能力和可靠性。通过优化P+基区掺杂分布与N-漂移区厚度，显著降低了通态电阻和导通损耗，使得在额定工作电流下VCE(sat)仅为1.75V，有助于提高整体系统效率。同时，该IGBT的开关速度经过精细调校，在开通和关断过程中展现出平稳的电压/电流过渡特性，减少了电磁干扰（EMI）的发生概率。
　　该器件具有优异的热稳定性，其最大工作结温可达150°C，配合合适的散热设计可满足持续高负载运行需求。内部载流子复合机制经过优化，在高温条件下仍能保持稳定的增益特性，避免二次击穿现象的发生。此外，UD4809G-TN3-R具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在短路保护方面，该IGBT设计有较长的短路耐受时间（≥6μs），为外部保护电路提供了充足的响应窗口，防止因瞬时故障导致器件永久性损伤。其栅极氧化层经过多重质量控制工艺处理，具备出色的抗阈值漂移能力，即使在频繁开关操作或温度循环变化下也能维持稳定的阈值电压（Vth）。
　　该芯片还针对并联应用进行了优化，元胞布局均匀，电流分配一致性好，有利于多管并联时实现均流，减少局部热点形成的风险。总体而言，UD4809G-TN3-R在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高端功率转换系统的理想选择。

UD4809G-TN3-R广泛应用于各类中高功率电力电子设备中。在工业变频器领域，它被用于三相交流电机驱动系统，实现对电机转速和扭矩的精确控制，适用于风机、水泵、传送带等工业自动化场景。在逆变焊机中，该IGBT凭借其快速开关能力和低导通损耗，能够高效地将直流电转换为高频交流电，进而提升焊接质量和能源利用率。
　　在新能源发电系统如光伏并网逆变器中，UD4809G-TN3-R可用于DC-AC转换级，支持最大功率点跟踪（MPPT）算法的高效执行，并确保电能以高质量正弦波形式馈入电网。其高耐压特性也使其适用于储能系统的双向DC-DC变换器或PCS（储能变流器）主回路。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该器件常用于全桥逆变拓扑结构中，提供稳定可靠的交流输出，保障关键负载在市电中断时持续供电。此外，在电动汽车充电桩（尤其是直流快充桩）的功率模块中，UD4809G-TN3-R可用于AC-DC整流后的DC-DC升压环节，协助实现高压电池组的快速充电。
　　其他应用还包括感应加热设备、电镀电源、铁路牵引辅助电源等需要高效率、高可靠性的电力变换场合。由于其TO-247封装易于集成与维护，因此在中小批量定制化电源设计中也受到青睐。

IXGH40N120AI
　　FGA40N1200NTD
　　F4-40R12KS4
　　BUP308