类型：SiC肖特基二极管
　　配置：单只
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：14A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：140A（8.3ms半正弦波）
　　正向电压（VF）：1.55V（典型值，@ IF = 14A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：10μA（典型值，@ VR = 650V, TJ = 25°C）；≤ 1.0mA（@ VR = 650V, TJ = 150°C）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（理想肖特基行为）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-247-3L
　　极性：阴极引脚独立连接（开尔文连接）
　　热阻（RθJC）：约1.8°C/W

UD4614G-TN4-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所实现的卓越电气性能。与传统的硅基PIN二极管相比，该器件不存在少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流或反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性极大降低了开关损耗，尤其是在高频硬开关拓扑如LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC电路中表现尤为突出。由于没有反向恢复带来的电流尖峰，系统中的电磁干扰（EMI）水平显著下降，有助于满足严格的EMI认证要求，并减少输入滤波元件的数量与成本。
　　该二极管的正向导通压降（VF）在额定电流下仅为1.55V左右，虽然略高于部分超结MOSFET体二极管，但其在整个工作温度范围内保持稳定且随温度升高略有下降的趋势，表现出负温度系数特性，有利于多管并联时的电流均衡。同时，在高温环境下反向漏电流虽有所增加，但仍处于可控范围之内，确保了高温工况下的可靠性。得益于SiC材料的高临界电场强度，UD4614G-TN4-R能够在650V电压等级下实现更薄的漂移层，从而进一步降低导通电阻和动态损耗。
　　该器件支持高达14A的平均正向电流，并可承受140A的非重复浪涌电流，具备较强的瞬态负载适应能力。TO-247-3L封装不仅提供了良好的机械强度和热传导性能，还引入了独立的源极开尔文连接（Kelvin Source），有助于在高精度测量或驱动电路中减少寄生电感的影响，提高系统响应速度和控制精度。此外，该封装形式广泛应用于功率模块和电源设计中，兼容性强，易于集成到现有产线和散热方案中。
　　UD4614G-TN4-R具备出色的抗雪崩能力和高可靠性，经过严格的质量测试和老化筛选，适用于工业级和汽车级应用场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境温度下稳定运行，例如在密闭机箱内或高温车间环境中。综合来看，这款SiC二极管通过材料创新与结构优化，实现了效率、可靠性和紧凑性的高度统一，是现代高效电源系统中不可或缺的关键组件。

UD4614G-TN4-R被广泛应用于各类高效率、高频率的电力转换系统中。典型应用包括通信电源和服务器电源中的功率因数校正（PFC）级，特别是在图腾柱（Totem-Pole）PFC拓扑中作为主整流元件使用，能够显著提升系统效率至98%以上。在光伏（PV）逆变器中，该器件可用于直流侧防反接保护和MPPT电路中的续流路径，凭借其零反向恢复特性有效抑制电压振荡和能量损耗。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UD4614G-TN4-R常用于升压PFC和DC-DC变换器部分，帮助实现更高的功率密度和更低的温升。
　　该器件也适用于工业开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和焊接设备等需要高可靠性和长寿命的场合。在这些应用中，其耐高温能力和长期稳定性可以减少系统维护频率并延长使用寿命。此外，在高密度电源模块和数字电源设计中，由于空间限制严格，UD4614G-TN4-R的小尺寸与高效散热特性使其成为理想的选型方案。其低电磁干扰特性也有助于简化PCB布局和屏蔽设计，降低整体系统成本。随着全球对能源效率标准（如80 PLUS Titanium、ERP Lot 6）的要求日益严格，采用SiC技术的UD4614G-TN4-R已成为高端电源产品升级换代的重要选择之一。

C4D15140E
　　CCS065014A
　　Vincotech VSI40T65X2P