时间：2025/12/27 7:56:40
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UD4606ZL-S08-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高性能电源转换应用设计。该器件采用先进的第四代氮化镓技术，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于高频、高效率的电力电子系统。UD4606ZL-S08-R的封装形式为紧凑型表面贴装DFN（Dual Flat No-lead）封装，便于在空间受限的应用中实现高功率密度布局。该器件特别适合用于服务器电源、电信整流器、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业电源等对能效和功率密度要求严苛的场合。其设计简化了栅极驱动需求，并具备良好的抗噪声能力和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了相关可靠性测试，确保在工业级温度范围内长期稳定工作。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：30 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：120 A
导通电阻（Rds(on)）：60 mΩ（典型值，Vgs=5 V）
栅源阈值电压（Vgs(th)）：1.5 V ~ 2.2 V
输入电容（Ciss）：3600 pF（典型值，Vds=480 V）
输出电容（Coss）：550 pF（典型值）
反向恢复电荷（Qrr）：0 C（体二极管无反向恢复）
栅极电荷（Qg）：40 nC（典型值，Vgs=5 V）
最大结温（Tj）：150 °C
封装类型：DFN 8引脚（5 mm x 6 mm）
安装方式：表面贴装
UD4606ZL-S08-R的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越电学性能。与传统硅基MOSFET相比，该器件具有更低的导通电阻和更小的寄生电容，从而显著降低了导通损耗和开关损耗，尤其在高频开关条件下表现更为突出。其增强型结构（常关型）设计使得该器件在栅极为零电压时处于关闭状态，提升了系统的安全性和可操作性，无需负压关断电路，简化了栅极驱动设计，降低了整体系统复杂度和成本。该器件具备极快的开关速度，上升和下降时间均在纳秒级别，有助于提升电源系统的开关频率，进而减小磁性元件和电容的体积，实现更高的功率密度。
由于氮化镓材料的宽禁带特性，UD4606ZL-S08-R在高温下仍能保持稳定的电气性能，具有优异的热稳定性。其DFN封装采用底部散热焊盘设计，能够有效将热量传导至PCB，提升热管理效率，适用于高功率密度设计。该器件无体二极管反向恢复电荷（Qrr = 0），在硬开关或同步整流应用中可消除因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提高系统效率并降低应力。此外，器件内部优化的布局减少了寄生电感，进一步提升了高频工作的稳定性和可靠性。UD4606ZL-S08-R还具备良好的抗dV/dt能力，减少误触发风险，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
UD4606ZL-S08-R广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的现代电源系统中。在数据中心和服务器电源中，它可用于图腾柱PFC（无桥PFC）拓扑，显著提升功率因数校正级的效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在电信基础设施中，该器件适用于48 V转12 V中间母线转换器（IBC），支持高开关频率以缩小磁性元件尺寸。在可再生能源领域，如光伏微型逆变器和储能系统，UD4606ZL-S08-R可用于DC-AC逆变级，实现高效能量转换。在电动汽车充电设备中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩的DC-DC变换模块，该器件都能提供紧凑且高效的解决方案。此外，该器件也适用于工业电机驱动、高端LED照明电源、激光电源以及高频DC-DC转换器等应用场景。其高频性能使其成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的理想选择，推动电源系统向更小、更轻、更高效的方向发展。
UJ4C0750K-8S-T1
UJ3C065008K-T1
UD4608ZL-S08-R
