UD4509-H 时间：2025/12/27 8:59:50 阅读：20

UD4509-H是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的开关特性与热性能，适用于各类对能效和功率密度要求较高的系统。相较于传统的硅基二极管，UD4509-H在反向恢复损耗、导通压降以及高温工作能力方面具有显著优势，是现代电源转换系统中的理想选择。其封装形式为TO-220AC，便于安装于散热器上，广泛应用于开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动及不间断电源（UPS）等场合。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：45A
　　最大正向压降（VF）：1.7V @ 45A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：10μA @ 25°C, 650V；500μA @ 150°C, 650V
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　浪涌电流能力（IFSM）：450A @ 半正弦波 60Hz
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W
　　封装形式：TO-220AC

特性

UD4509-H的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料构建的肖特基势垒结构，这一材料特性从根本上改变了传统硅基二极管在高频高压场景下的性能瓶颈。首先，在电气性能方面，该器件实现了极低的正向导通压降（VF），典型值仅为1.7V，在45A的工作电流下大幅降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，由于SiC材料的宽禁带特性，UD4509-H在高温环境下仍能保持稳定的电学性能，其最大结温可达+175°C，远高于传统硅器件的150°C上限，这使得其在高温工况下依然可靠运行，无需过度依赖复杂的散热系统。此外，该器件无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在高频开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰和相关电磁干扰（EMI），有效降低了开关损耗，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在可靠性与热管理方面，UD4509-H展现出卓越的热稳定性与机械鲁棒性。其热阻结到壳（RθJC）仅为1.2°C/W，意味着热量能够高效地从芯片传递至外部散热器，避免局部过热导致的失效风险。器件采用TO-220AC封装，具备良好的绝缘性能与机械强度，适合在工业级恶劣环境中长期运行。该封装还支持通孔安装方式，便于在PCB布局中实现可靠的电气连接与散热路径设计。另外，UD4509-H具备出色的抗浪涌能力，可承受高达450A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况如启动冲击或电网波动下的耐受能力。综合来看，UD4509-H不仅提升了功率转换效率，还通过简化外围电路设计（如减少缓冲电路需求）降低了整体系统成本与体积，是实现绿色能源与高效电力电子系统的优选方案。

应用

UD4509-H广泛应用于各类高效率电力电子变换系统中。典型应用场景包括：光伏并网逆变器中的直流母线续流与防反保护，其中其低反向恢复损耗可显著提升逆变效率；电动汽车车载充电机（OBC）与DC-DC转换器中作为输出整流或PFC级升压二极管，利用其高频特性缩小磁性元件体积；通信电源与服务器电源等高密度开关电源（SMPS）中用于二次侧整流，提高能效等级；工业电机驱动器中的IGBT或SiC MOSFET体二极管辅助回路，实现快速换流与能量回馈；以及不间断电源（UPS）、储能变流器（PCS）和感应加热设备等对可靠性与效率要求严苛的领域。