时间：2025/12/27 9:11:41
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UD12K是一款高压、大功率的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块，广泛应用于工业电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点，具备良好的开关性能和载流能力。UD12K通常用于逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、感应加热以及太阳能逆变器等高功率转换场合。该模块采用先进的平面栅场截止（Field-Stop）技术，优化了电场分布，提高了击穿电压能力和热稳定性。其封装形式为行业标准的通用型模块封装，具有良好的散热性能和电气绝缘能力，适用于恶劣工作环境下的长期运行。UD12K的设计注重可靠性与效率，在高温、高电压和高频操作条件下仍能保持稳定的工作特性。此外，该器件内部集成有反并联快速恢复二极管，能够有效处理感性负载中的续流电流，减少外部元件数量，提升系统集成度。
类型：IGBT模块
额定电压：1200V
额定电流：1200A
集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：典型值2.1V（在IC = 1200A, Vge = 15V条件下）
栅极阈值电压（Vge(th)）：最小值5.0V，最大值7.0V
输入电容（Cies）：约12000pF（在Vce = 25V, f = 1MHz条件下）
输出电容（Coes）：约3800pF
反向恢复时间（trr）：典型值120ns（二极管部分）
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
绝缘电压：≥2500VAC（1分钟，RMS）
封装形式：平板式或螺栓型模块封装
安装方式：压接式或螺栓固定
热阻（Rth(j-c)）：典型值0.025°C/W（单模块）
