型号：UCN033SL560J-2
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：48A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：192A
　　导通电阻(RDS(on))：5.6mΩ @ VGS=10V, ID=24A
　　导通电阻(RDS(on))：7.2mΩ @ VGS=4.5V, ID=20A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1350pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：480pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：17nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　上升时间(Tr)：35ns
　　关断延迟时间(Td(off))：30ns
　　下降时间(Tf)：20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8(EP)
　　安装方式：表面贴装

UCN033SL560J-2采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构与硅基工艺优化，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其核心优势在于RDS(on)仅为5.6mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其适合对效率要求较高的同步整流和DC-DC降压变换器应用。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为17nC，意味着驱动电路所需的能量较少，从而降低了驱动损耗并允许更高的开关频率操作。低Crss（100pF）进一步减少了米勒效应的影响，增强了器件在高频开关环境中的抗干扰能力，防止误触发，提升系统稳定性。
　　UCN033SL560J-2具备良好的热性能，得益于SOP-8 EP封装内置的裸露焊盘，可通过PCB有效散热，延长器件寿命并提高长期工作的可靠性。该封装还支持自动化贴片生产，适用于大规模SMT工艺，降低制造成本。
　　其阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了在逻辑电平信号下可靠开启，兼容3.3V或5V驱动IC输出，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。同时，器件具有较强的抗雪崩能力和过载承受能力，在瞬态负载变化或短路情况下表现出一定的鲁棒性。
　　此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保在复杂电磁环境和宽温范围内稳定工作。综合来看，UCN033SL560J-2是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于追求小型化、高效能的现代电源系统设计。

UCN033SL560J-2主要应用于各类中低功率电源管理系统中，特别是在需要高效率和小体积设计的场合表现突出。典型应用包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），作为下管或上管使用，替代传统肖特基二极管以减少导通损耗，提升转换效率。
　　在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件常用于电池充放电管理电路中的开关元件，实现高效的能量传递与安全保护功能。
　　此外，它也广泛用于LED驱动电源、USB PD快充适配器、主板VRM（电压调节模块）以及POL（Point-of-Load）电源模块中，承担主开关或同步整流角色。
　　在工业控制领域，UCN033SL560J-2可用于电机驱动电路中的H桥开关单元，控制小型直流电机或步进电机的正反转与调速；也可作为电子负载开关或热插拔控制器的核心开关器件，提供快速响应与低静态功耗。
　　由于其具备良好的瞬态响应能力和热稳定性，该MOSFET同样适用于服务器电源、通信设备电源模块以及智能家居设备中的隔离式或非隔离式开关电源拓扑结构。总体而言，凡是需要低RDS(on)、高电流承载能力和良好热性能的N沟道MOSFET应用场景，UCN033SL560J-2都是一个理想的选择。

AP233BN, AON6240, FDMC86280, SI2333DS, BSS138