UCC27712DR 时间：2024/3/28 17:20:37 阅读：265

UCC27712DR是一款620V高侧和低侧栅极驱动器，具有1.8A拉电流、2.8A灌电流能力，专用于驱动功率MOSFET或IGBT。对于IGBT，建议的VDD工作电压为10V至20V，对于功率MOSFET，建议的VDD工作电压为10V至17V。UCC27712DR包含保护功能，在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。

UCC27712DR采用TI先进的高压器件技术，具有强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高dV/dt容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA)，以及互锁。

UCC27712DR包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712DR上，每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。

基础介绍

　　厂商型号：UCC27712DR

　　品牌名称：TI(德州仪器)

　　元件类别：栅极驱动IC

　　封装规格：SOIC-8

　　型号介绍：620V 半桥驱动器

特点

　　· 高侧和低侧配置

　　· 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间

　　· 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V

　　· VDD 建议范围为 10V 至 20V

　　· 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流

　　· 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度

　　· HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V

　　· 输入负电压容差为 –5V

　　· 大型负瞬态安全工作区

　　· 为两个通道提供 UVLO 保护

　　· 短传播延迟(典型值 100ns)

　　· 延迟匹配(典型值 12ns)

　　· 设计用于自举操作的悬空通道

　　· 低静态电流

　　· TTL 和 CMOS 兼容输入

　　· 行业标准 SOIC-8 封装

　　· 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

中文参数

商品分类	栅极驱动IC	品牌	TI(德州仪器)
封装	SOIC-8	包装	整包装
电压-供电	10V~20V	工作温度	-40°C~125°C（TJ）
安装类型	表面贴装型	基本产品编号	UCC27712
HTSUS	8542.39.0001	驱动配置	半桥
通道类型	独立式	驱动器数	2
栅极类型	IGBT，N沟道，P沟道MOSFET	逻辑电压-VIL，VIH	1.5V，1.6V
电流-峰值输出（灌入，拉出）	1.8A，2.8A	输入类型	-
上升/下降时间（典型值）	16ns，10ns	高压侧电压-最大值（自举）	600V
产品应用	汽车级