时间：2025/10/7 23:18:57
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UBX2C101MHL是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于便携式设备和消费类电子产品中的电源管理与开关控制。该器件采用紧凑型封装，适合对空间要求较高的应用场合。其设计目标是在低电压工作条件下提供高效的开关性能和较低的导通电阻，从而减少系统功耗并提高整体能效。该MOSFET特别适用于电池供电设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类低功耗嵌入式系统。
UBX2C101MHL具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，确保在不同环境条件下的性能一致性。器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。此外，其快速开关能力和低栅极电荷特性有助于降低动态损耗，提升高频开关应用中的效率表现。由于采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，该器件在保持小型化的同时实现了优异的电气性能。
型号：UBX2C101MHL
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻(RDS(on))：60mΩ（@ VGS = -2.5V）
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：330pF（@ VDS = 10V）
输出电容(Coss)：180pF（@ VDS = 10V）
反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快速恢复功能
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：UMT3（SOT-723）
UBX2C101MHL具备出色的低导通电阻特性，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为45mΩ，这显著降低了在高电流路径中的功率损耗，提高了系统的能源利用效率。该特性对于电池供电设备尤为重要，因为它直接影响到设备的续航能力。同时，即使在较低的栅极驱动电压下（如-2.5V），其RDS(on)也仅增加至60mΩ，表现出良好的低电压驱动能力，兼容现代低压逻辑控制电路，例如由电池直接供电的微控制器输出信号即可有效驱动该器件。
该器件采用UMT3（SOT-723）超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，极大节省了PCB布局空间，非常适合高度集成和轻薄化的便携式电子产品设计。尽管体积小，但其热性能经过优化，能够通过PCB散热焊盘有效传导热量，确保在额定电流下长期可靠运行。此外，器件内部结构采用先进沟槽技术，提升了单位面积的载流能力，并增强了开关速度。
UBX2C101MHL具有较低的输入电容（Ciss = 330pF）和输出电容（Coss = 180pF），这使得其在高频开关应用中具有更快的响应速度和更低的驱动功耗。低电容特性减少了栅极驱动所需的能量，有利于使用低驱动能力的控制信号直接驱动，简化了外围电路设计。此外，该器件的阈值电压范围合理（-1.0V ~ -2.0V），避免了因噪声干扰导致的误开启问题，提高了系统稳定性。
该MOSFET具备良好的抗静电能力（ESD耐压可达±2000V HBM），增强了在生产、装配和使用过程中的可靠性。其符合AEC-Q101汽车级认证的部分版本可用于车载电子系统，但需确认具体批次规格。整体而言，UBX2C101MHL在小型化、低功耗、高效率和高可靠性之间实现了良好平衡，是现代低电压电源开关应用的理想选择之一。
UBX2C101MHL常用于各种低电压、中等电流的电源开关和负载控制场景。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现节能待机或系统关机功能。它也可作为DC-DC转换器中的同步整流开关元件，特别是在降压（Buck）拓扑结构中，用作上管或下管以提高转换效率。
在负载开关电路中，该器件可用于隔离不同的功能模块电源，例如显示屏背光电源控制、外设模块供电管理等，防止电流倒灌并实现软启动功能。此外，它还适用于过流保护电路、热插拔控制电路以及电机驱动中的H桥低端开关。
由于其小型封装和低功耗特性，该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机、物联网终端设备等对空间和能效要求苛刻的产品中。在工业传感器、便携式医疗设备和低功耗嵌入式控制器中也有广泛应用。其稳定的电气性能和宽工作温度范围使其能够在复杂电磁环境和多变温环境中可靠运行。
DMG2302UK-7
FDML86151
SI2301-ADJ
