时间：2025/10/7 6:25:19
阅读：7
UBT1K220MPD是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高密度电源转换应用而设计。该器件封装在紧凑的 PowerPAK? SC-70 封装中，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。UBT1K220MPD 的漏源电压（VDS）额定值为 20V，连续漏极电流（ID）在室温下可达 3.9A，使其非常适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备以及便携式电子产品中的电源管理电路。其栅极阈值电压较低，可与低压逻辑信号直接兼容，从而简化了驱动电路的设计。此外，该器件符合 RoHS 标准，无卤素，支持环保生产流程。由于采用了先进的封装技术，UBT1K220MPD 具备良好的散热能力，能够在较小的 PCB 面积上实现高效的功率切换功能。
型号：UBT1K220MPD
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerPAK SC-70
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）@25°C：3.9A
脉冲漏极电流（IDM）：15.6A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：22mΩ
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：30mΩ
导通电阻（RDS(on)）@1.8V VGS：50mΩ
栅极电荷（Qg）@4.5V：4.2nC
输入电容（Ciss）：330pF
开启延迟时间（td(on)）：4ns
关断延迟时间（td(off)）：12ns
反向恢复时间（trr）：7ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
热阻结到环境（RθJA）：250°C/W
热阻结到外壳（RθJC）：70°C/W
UBT1K220MPD 采用 Vishay 专有的沟槽场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其 RDS(on) 在 VGS = 4.5V 时仅为 22mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。在低至 1.8V 的栅极驱动电压下仍能有效导通，使其适用于现代低电压数字控制器直接驱动的应用，例如智能手机、平板电脑和其他使用 1.8V 或 3.3V 逻辑电平的嵌入式系统。器件的栅极电荷（Qg）低至 4.2nC，有助于减少驱动功耗并加快开关速度，从而降低开关损耗，特别适合高频 DC-DC 转换器拓扑结构如同步降压或升压变换器。此外，其输入电容仅为 330pF，进一步优化了高频响应能力。
该器件具备出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。PowerPAK SC-70 封装去除了传统的引线框架，采用双面冷却设计，提高了热传导效率，使得器件即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度。这种封装还减小了寄生电感，改善了开关瞬态响应，减少了电磁干扰（EMI）。同时，该封装尺寸小巧（典型尺寸约为 2mm x 2mm），非常适合高密度 PCB 布局，广泛应用于移动设备、可穿戴电子产品和小型物联网终端。
UBT1K220MPD 还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统鲁棒性。其快速的开启和关断延迟时间（分别为 4ns 和 12ns）确保了精确的开关控制，适用于需要高动态响应的电源管理系统。反向恢复时间短至 7ns，配合体二极管的优良特性，可在同步整流应用中有效防止反向电流引起的能量损耗。总体而言，该器件结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代高效电源设计的理想选择。
UBT1K220MPD 广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或电源隔离。在同步降压型 DC-DC 转换器中，它常作为下管（低边开关）使用，凭借其低 RDS(on) 和快速开关特性，显著提升转换效率并减少发热。同样适用于升压变换器和 SEPIC 拓扑结构中的功率开关元件。该器件也适合用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提供高效的充放电路径切换。在 USB 电源开关、LDO 后置开关、热插拔控制器等场合，UBT1K220MPD 凭借其低导通损耗和小封装优势表现出色。此外，还可用于电机驱动、LED 驱动电源以及各类工业和消费类电子产品中的电源模块。其兼容低电压逻辑驱动的特性，使其成为微控制器直接控制功率负载的理想接口器件。
Si2301DDS, FDN302P, AO3400, BSS138
