类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：10 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80 A
　　正向压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 10 A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：100 μA（最大值，@ VR = 1200 V, Tj = 25°C）
　　结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　是否环保：符合RoHS标准

UBT1K101MPD的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这使得它在高频开关应用中表现出卓越的性能。与传统的硅基PIN二极管相比，SiC肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而极大降低了开关过程中的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和逆变器中效果显著。这一特性有助于提升整体电源系统的转换效率，并减少对散热设计的要求。
　　该器件在高温环境下仍能保持良好的电气稳定性。其最大结温可达+175°C，远高于传统硅器件的+150°C限制，这意味着在高功率密度设计中，UBT1K101MPD可以承受更严酷的热应力，延长系统寿命并提高可靠性。此外，较低的正向压降（典型值1.7V @ 10A）意味着在导通状态下功耗更低，进一步提升了能效表现。
　　UBT1K101MPD的TO-252封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，适用于自动装配流程，广泛用于AC-DC和DC-DC电源模块中。该封装还支持PCB板上的良好散热设计，可通过焊盘连接至大面积铜箔以增强散热能力。器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。同时，其高抗浪涌能力（IFSM达80A）使其在面对瞬态过流事件时具备更强的鲁棒性，适用于电动车辆充电系统、工业电机驱动和可再生能源逆变器等关键应用场景。

UBT1K101MPD因其优异的高频特性和高耐压能力，被广泛应用于各类高效能电力转换系统中。典型应用包括服务器电源、电信整流器、光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、直流快速充电桩以及工业用大功率开关电源。在这些系统中，该二极管常用于升压PFC电路中的输出整流、LLC半桥或全桥拓扑中的副边同步整流替代方案，以及高压DC-DC变换器中的自由轮转二极管。
　　在图腾柱无桥PFC拓扑中，由于传统硅二极管存在严重的反向恢复问题，导致效率下降和电磁干扰增加，而UBT1K101MPD几乎为零的反向恢复电荷使其成为理想的解决方案，可显著降低开关节点的电压尖峰和EMI噪声，提升系统整体效率至98%以上。此外，在新能源发电系统如太阳能逆变器中，该器件可在高温户外环境中长期稳定运行，减少维护成本并提高发电效率。
　　在电动汽车领域，UBT1K101MPD可用于车载充电机内部的高压辅助电源和主DC-DC转换器中，帮助实现轻量化和小型化设计。其高结温能力和快速响应特性也使其适用于电机控制器中的续流路径，保障系统在频繁启停和负载突变情况下的安全运行。总体而言，任何需要高效率、高可靠性和高温工作能力的电力电子设备都可以从该器件的性能优势中获益。

UF3C120101K3S
　　GSF1N120T6