时间：2025/10/7 2:44:51
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UBT1H2R2MPD是一款由Samsung（三星）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高性能电容产品线的一部分。该器件专为满足现代电子设备对高可靠性、小型化和高效能的需求而设计，广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统以及通信设备中。作为一款具有特定额定电压与电容值组合的表面贴装器件（SMD），UBT1H2R2MPD在电源去耦、噪声滤波、信号耦合与旁路等电路功能中表现出色。其制造采用了先进的陶瓷介质材料和稳定的金属端接工艺，确保了长期运行中的电气稳定性与机械耐久性。此外，该型号符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性和低等效串联电阻（ESR），适合高频应用场景。得益于三星在被动元件领域的技术积累，UBT1H2R2MPD在批量生产一致性与供货稳定性方面也具有较强优势，是许多高端主板、移动设备电源管理模块及射频前端电路中的优选电容之一。
电容值：2.2pF
容差：±0.1pF
额定电压：50V
温度特性：C0G(NP0)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
介质材料：C0G（NP0）
直流偏压特性：无显著容量下降
绝缘电阻：≥50GΩ·μF
等效串联电阻（ESR）：极低
老化率：≤0.1% per decade hour
UBT1H2R2MPD采用C0G（即NP0）类型的陶瓷介质材料，这是目前最稳定的电容器介质之一，具备近乎理想的温度系数表现，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±30ppm/°C，保证了在极端环境下的频率稳定性和相位一致性，特别适用于高精度振荡电路、滤波器和射频匹配网络。该电容器的容差控制极为严格，仅为±0.1pF，使其能够在需要微小电容调节的应用中替代可变电容或trimmer capacitor，提升系统集成度与可靠性。其结构设计基于多层叠膜共烧工艺，内部电极采用贵金属材料（如镍或钯银合金），有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了高频响应能力，在GHz级别的射频应用中仍能保持优良的阻抗特性。
该器件的0402小型化封装（1.0×0.5mm）适应当前电子设备向轻薄化发展的趋势，同时兼容自动化贴片工艺，提高了PCB组装效率。尽管体积微小，但其耐压达到50V，远高于同类尺寸中常见的25V或16V等级，提升了在瞬态电压冲击下的安全裕度。此外，由于C0G材料本身不具铁电性，因此不存在电压依赖性容量变化问题（即直流偏压效应几乎为零），即使在高偏置电压下也能维持标称电容值不变。这种特性对于精密模拟电路、ADC参考缓冲、PLL环路滤波器等场合至关重要。器件还具备优异的抗湿性和抗热冲击性能，经过严格的湿度敏感等级（MSL）测试，通常达到MSL1级别，可在回流焊过程中承受多次高温循环而不损坏。整体而言，UBT1H2R2MPD结合了高稳定性、小尺寸、高耐压与高频性能，成为高性能电子系统中不可或缺的关键元件。
UBT1H2R2MPD因其卓越的电气稳定性和高频性能，被广泛用于各类对信号完整性要求极高的电子系统中。在无线通信领域，它常见于智能手机、基站模块、Wi-Fi路由器和毫米波雷达系统的射频前端电路，作为LC谐振回路中的调谐电容、阻抗匹配网络组件或带通滤波器的一部分，帮助实现最佳的功率传输与最小的插入损耗。在精密模拟电路中，该电容常用于有源滤波器、运算放大器反馈路径、电压控制振荡器（VCO）以及锁相环（PLL）的环路滤波部分，利用其低噪声、低漂移特性保障系统的动态响应精度。此外，在高速数字系统如FPGA、ASIC和微处理器的电源去耦设计中，UBT1H2R2MPD可与其他容值的电容并联使用，构成宽频段去耦网络，有效抑制高频开关噪声，稳定核心供电电压。工业测量仪器、医疗成像设备和测试设备中也大量采用此类高稳定性电容，以确保长时间运行下的测量重复性与准确性。由于其符合AEC-Q200车规级可靠性标准的部分版本要求，该型号也被逐步引入汽车电子应用，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，承担关键信号处理任务。总的来说，任何需要在宽温范围、高频率或高可靠性条件下维持精确电容特性的场景，都是UBT1H2R2MPD的理想应用领域。
GRM0335C1H2R2WA01D
CC0402JRNPO9BN2R2
CL2010NG1H2R2NBNC
