产品类型：陶瓷电容器
　　电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，±15%）
　　封装/尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni barrier）
　　可焊性：符合JIS C 5002标准
　　老化率：≤2.5%每1000小时
　　绝缘电阻：≥5000MΩ 或 R*C ≥ 500S（取较大者）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　自谐振频率（SRF）：约800MHz（典型值）
　　最大厚度：约2.0mm
　　包装形式：卷带编装（Tape and Reel）

UBT1H102MHT具备优异的电性能稳定性与机械可靠性，其核心特性之一是采用X7R型介电材料，确保在宽温范围内电容值变化小，适用于对温度敏感的应用场景。X7R材料属于II类陶瓷，具有较高的体积效率，能够在较小封装内实现相对较大的电容值，同时维持较好的线性响应和较低的信号失真。这种材料特别适合用作去耦电容，能有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。该器件的直流偏压特性表现良好，在接近额定电压时电容值下降幅度较小，优于许多同类产品，这对于高压偏置下的模拟或数字电路尤为重要。
　　另一个关键特性是其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这使得UBT1H102MHT在高频应用中具有出色的阻抗特性，能够高效地滤除高频噪声，尤其适用于高速数字电路中的电源去耦和信号完整性保障。由于其自谐振频率较高（典型值可达800MHz左右），在GHz以下频段仍能保持容性行为，避免进入感性区导致滤波失效。
　　此外，该电容器采用镍阻挡层端子结构，有效防止外部电极中的银离子迁移，提高了长期使用的可靠性和耐湿性。这一设计显著增强了器件在高温高湿环境下的耐久性，符合工业级和汽车级应用的严苛要求。产品经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、耐湿性试验和寿命加速测试，确保在复杂工况下的稳定运行。其符合AEC-Q200标准的设计也使其成为汽车电子系统的理想选择。
　　最后，UBT1H102MHT支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线，具有优良的可焊性和抗热冲击能力，减少焊接过程中因热应力导致的裂纹风险。整体结构致密，机械强度高，能够承受一定的板级弯曲应力，适用于需要高可靠性的应用场景。

UBT1H102MHT广泛应用于多个高可靠性电子系统中。在汽车电子领域，它常用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的电源去耦和信号滤波，确保微处理器和传感器供电稳定。由于其通过AEC-Q200认证，能在极端温度和振动环境下可靠工作，因此非常适合车载环境。
　　在工业控制设备中，该电容器被用于PLC控制器、工业电源模块、电机驱动器和通信接口电路中，作为去耦和旁路元件，抑制开关噪声和电磁干扰（EMI），提高系统抗扰度。其稳定的X7R特性保证了在工厂环境中长时间运行的性能一致性。
　　在通信设备方面，UBT1H102MHT可用于基站射频模块、光纤收发器、路由器和交换机的电源管理电路中，提供高频噪声滤波功能，保障信号完整性和数据传输稳定性。其低ESR和高SRF特性使其在GHz以下频段表现优异。
　　此外，在消费类电子产品如高端智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件也用于CPU/GPU供电网络的局部去耦，提升电源质量。医疗电子设备中同样采用此类高可靠性MLCC，用于监护仪、超声成像设备等对安全性要求极高的场合。总之，任何需要稳定电容性能、良好温度特性和高可靠性的表面贴装应用场景均可考虑使用UBT1H102MHT。

GRM319R71H102KA01D
　　CL21A102JBANNNC
　　C2012X7R1H102K